产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF520PBF
仓库库存编号：
IRF520PBF-ND
别名：*IRF520PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120TRPBF
仓库库存编号：
IRFR120TRPBFCT-ND
别名：IRFR120TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD120PBF
仓库库存编号：
IRFD120PBF-ND
别名：*IRFD120PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120PBF
仓库库存编号：
IRFR120PBF-ND
别名：*IRFR120PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU120PBF
仓库库存编号：
IRFU120PBF-ND
别名：*IRFU120PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD123PBF
仓库库存编号：
IRFD123PBF-ND
别名：*IRFD123PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI520GPBF
仓库库存编号：
IRFI520GPBF-ND
别名：*IRFI520GPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 42A（Tc） 65.2W（Tc） TO-252AA
型号：
SUD80460E-GE3
仓库库存编号：
SUD80460E-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.9W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR412DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR412DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR412DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SQ2319ADS-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ2319ADS-T1_GE3CT-ND
别名：SQ2319ADS-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520SPBF
仓库库存编号：
IRF520SPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR120LPBFTR-ND
别名：IRFR120LPBFTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120TRRPBF
仓库库存编号：
IRFR120TRRPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD120
仓库库存编号：
IRFD120-ND
别名：*IRFD120
IRFD121
IRFD122
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF520
仓库库存编号：
IRF520IR-ND
别名：*IRF520
IRF520IR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120
仓库库存编号：
IRFR120IR-ND
别名：*IRFR120
IRFR120IR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120TR
仓库库存编号：
IRFR120TR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120TRL
仓库库存编号：
IRFR120TRL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU120
仓库库存编号：
IRFU120IR-ND
别名：*IRFU120
IRFU120IR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 4A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI620G
仓库库存编号：
IRLI620G-ND
别名：*IRLI620G
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520S
仓库库存编号：
IRF520S-ND
别名：*IRF520S
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520STRL
仓库库存编号：
IRF520STRL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520STRR
仓库库存编号：
IRF520STRR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.2A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI520G
仓库库存编号：
IRFI520G-ND
别名：*IRFI520G
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120TRR
仓库库存编号：
IRFR120TRR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Vishay Siliconix,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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