产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N06-09L-E3
仓库库存编号:
SUD50N06-09L-E3CT-ND
别名:SUD50N06-09L-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF640PBF
仓库库存编号:
IRF640PBF-ND
别名:*IRF640PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP240PBF
仓库库存编号:
IRFP240PBF-ND
别名:*IRFP240PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6415DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6415DQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6415DQ-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640SPBF
仓库库存编号:
IRF640SPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC50APBF
仓库库存编号:
IRFPC50APBF-ND
别名:*IRFPC50APBF
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6415DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6415DQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6415DQ-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 100V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-252
型号:
SQD50N10-8M9L_GE3
仓库库存编号:
SQD50N10-8M9L_GE3CT-ND
别名:SQD50N10-8M9L_GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRF640STRLPBF
仓库库存编号:
IRF640STRLPBFCT-ND
别名:IRF640STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9.8A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI640GPBF
仓库库存编号:
IRFI640GPBF-ND
别名:*IRFI640GPBF
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRF640STRRPBF
仓库库存编号:
IRF640STRRPBFCT-ND
别名:IRF640STRRPBFCT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 130W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH11N65EF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH11N65EF-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH11N65EF-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A SMT
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS612EDNT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS612EDNT-T1-GE3CT-ND
别名:SIS612EDNT-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP12N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHP12N65E-GE3-ND
别名:SIHP12N65E-GE3CT
SIHP12N65E-GE3CT-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7104DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7104DN-T1-E3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 5.2W(Ta),69.4W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7370ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7370ADP-T1-GE3-ND
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MOSFET N-CH 100V 40A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 40A(Tc) 136W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQR40N10-25_GE3
仓库库存编号:
SQR40N10-25_GE3-ND
别名:SQR40N10-25-GE3
SQR40N10-25-GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7104DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7104DN-T1-GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF12N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHF12N65E-GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 156W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB12N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHB12N65E-GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 40A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 166W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM40N15-38_GE3
仓库库存编号:
SQM40N15-38_GE3-ND
别名:SQM40N15-38-GE3
SQM40N15-38-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD40N10-25_GE3
仓库库存编号:
SQD40N10-25_GE3-ND
别名:SQD40N10-25-GE3
SQD40N10-25-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 200V 20A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP240
仓库库存编号:
IRFP240-ND
别名:*IRFP240
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640S
仓库库存编号:
IRF640S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.8A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI640G
仓库库存编号:
IRFI640G-ND
别名:*IRFI640G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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