产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 41W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI530NPBF
仓库库存编号:
IRLI530NPBF-ND
别名:*IRLI530NPBF
SP001573830
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 41W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI530NPBF
仓库库存编号:
IRFI530NPBF-ND
别名:*IRFI530NPBF
SP001554868
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 41W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 41W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA037N08N3 G
仓库库存编号:
IPA037N08N3 G-ND
别名:IPA037N08N3G
IPA037N08N3GXKSA1
SP000446772
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 41W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50N04S410ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S410ATMA1CT-ND
别名:IPD50N04S410ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 41W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R360P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R360P7XKSA1-ND
别名:SP001606036
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 41W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
详细描述:通孔 N 沟道 84A(Tc) 41W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
IPA032N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA032N06N3GXKSA1-ND
别名:IPA032N06N3 G
IPA032N06N3 G-ND
IPA032N06N3G
SP000453608
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 41W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R360P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R360P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R360P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 41W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R360P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R360P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R360P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 41W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 5A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD5N25S3430ATMA1
仓库库存编号:
IPD5N25S3430ATMA1-ND
别名:SP000876584
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 41W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 79A(Tc) 41W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA030N10N3 G
仓库库存编号:
IPA030N10N3 G-ND
别名:IPA030N10N3G
IPA030N10N3GXKSA1
SP000464914
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 41W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI530N
仓库库存编号:
IRFI530N-ND
别名:*IRFI530N
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 41W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI530N
仓库库存编号:
IRLI530N-ND
别名:*IRLI530N
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 41W(Tc),
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