产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRPBF
仓库库存编号:
IRFR9024NPBFCT-ND
别名:*IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 11A(Tc) 38W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9024NPBF
仓库库存编号:
IRFU9024NPBF-ND
别名:*IRFU9024NPBF
SP001557756
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N60C3
仓库库存编号:
SPD03N60C3INCT-ND
别名:SPD03N60C3INCT
SPD03N60C3XTINCT
SPD03N60C3XTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R2K1CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K1CEAUMA1CT-ND
别名:IPD60R2K1CEAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 38W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ900N15NS3 G
仓库库存编号:
BSZ900N15NS3 GCT-ND
别名:BSZ900N15NS3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD03N50C3ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N50C3
仓库库存编号:
SPD03N50C3INCT-ND
别名:SPD03N50C3INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
IPA057N06N3 G
仓库库存编号:
IPA057N06N3 G-ND
别名:IPA057N06N3G
IPA057N06N3GXKSA1
SP000457582
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04P10PLGBTMA1
仓库库存编号:
SPD04P10PLGBTMA1CT-ND
别名:SPD04P10PL GCT
SPD04P10PL GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA04N80C3
仓库库存编号:
SPA04N80C3IN-ND
别名:SP000216300
SPA04N80C3IN
SPA04N80C3X
SPA04N80C3XK
SPA04N80C3XKSA1
SPA04N80C3XTIN
SPA04N80C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04P10PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD04P10PGBTMA1TR-ND
别名:SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N60C3ATMA1-ND
别名:SP001117760
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR9024NTRL
仓库库存编号:
AUIRFR9024NTRL-ND
别名:SP001518586
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPS03N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPS03N60C3BKMA1-ND
别名:SP000235877
SP000307418
SPS03N60C3
SPS03N60C3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU03N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPU03N60C3BKMA1-ND
别名:SP000095849
SPU03N60C3
SPU03N60C3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU03N60S5BKMA1
仓库库存编号:
SPU03N60S5BKMA1-ND
别名:SP000012423
SPU03N60S5
SPU03N60S5-ND
SPU03N60S5IN
SPU03N60S5IN-ND
SPU03N60S5X
SPU03N60S5XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 84A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA029N06NXKSA1
仓库库存编号:
IPA029N06NXKSA1-ND
别名:SP001199858
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9024N
仓库库存编号:
IRFU9024N-ND
别名:*IRFU9024N
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRL
仓库库存编号:
IRFR9024NTRL-ND
别名:SP001565084
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024NTRR
仓库库存编号:
IRFR9024NTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP03N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPP03N60S5HKSA1-ND
别名:SPP03N60S5
SPP03N60S5IN
SPP03N60S5IN-ND
SPP03N60S5X
SPP03N60S5XTIN
SPP03N60S5XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP03N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP03N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013524
SPP03N60C3
SPP03N60C3IN
SPP03N60C3IN-ND
SPP03N60C3X
SPP03N60C3X-ND
SPP03N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB03N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPB03N60C3ATMA1CT-ND
别名:SPB03N60C3INCT
SPB03N60C3INCT-ND
SPB03N60C3XTINCT
SPB03N60C3XTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB03N60S5ATMA1
仓库库存编号:
SPB03N60S5ATMA1CT-ND
别名:SPB03N60S5INCT
SPB03N60S5INCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N60S5BTMA1
仓库库存编号:
SPD03N60S5BTMA1CT-ND
别名:SPD03N60S5INCT
SPD03N60S5INCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
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