产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R950C6
仓库库存编号:
IPB60R950C6CT-ND
别名:IPB60R950C6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R950C6
仓库库存编号:
IPP60R950C6-ND
别名:IPP60R950C6XKSA1
SP000629364
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K0CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R1K0CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R950C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R950C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R950C6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIZ34NPBF
仓库库存编号:
IRLIZ34NPBF-ND
别名:*IRLIZ34NPBF
SP001573820
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ34NPBF
仓库库存编号:
IRFIZ34NPBF-ND
别名:*IRFIZ34NPBF
SP001575796
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R950C6AKMA1
仓库库存编号:
IPS65R950C6AKMA1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R1K2P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K2P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K2P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K2P7AKMA1-ND
别名:SP001644614
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R1K2P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R1K2P7AKMA1-ND
别名:SP001644626
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP80R1K2P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R1K2P7XKSA1-ND
别名:SP001644606
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-251
型号:
IPS65R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS65R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001276048
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R950C6AKMA1
仓库库存编号:
IPU60R950C6AKMA1-ND
别名:SP001292888
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R950C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R950C6ATMA1-ND
别名:SP001107082
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 21A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ34E
仓库库存编号:
IRFIZ34E-ND
别名:*IRFIZ34E
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 22A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIZ34N
仓库库存编号:
IRLIZ34N-ND
别名:*IRLIZ34N
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 14A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 55V 14A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI9Z34N
仓库库存编号:
IRFI9Z34N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R950C6
仓库库存编号:
IPD60R950C6INCT-ND
别名:IPD60R950C6INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
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MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R950C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R950C6BKMA1-ND
别名:SP000931532
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
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MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-251
型号:
IPU60R1K0CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K0CEBKMA1-ND
别名:SP001276056
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 37W(Tc),
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