产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),35A(Tc) 2.1W(Ta),25W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ130N03LS G
仓库库存编号:
BSZ130N03LSGINCT-ND
别名:BSZ130N03LSGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC050N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC050N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03LSGINCT
BSC050N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC025N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC025N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC025N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC025N03LSGINCT
BSC025N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 90A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90P04P4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPD90P04P4L04ATMA1CT-ND
别名:IPD90P04P4L04ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC011N03LS
仓库库存编号:
BSC011N03LSCT-ND
别名:BSC011N03LSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB009N03L G
仓库库存编号:
IPB009N03L GCT-ND
别名:IPB009N03L GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD090N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD090N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD090N03LGATMA1CT
IPD090N03LGINCT
IPD090N03LGINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),53A(Tc) 2.5W(Ta),35W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC080N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC080N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC080N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC080N03LSGINCT
BSC080N03LSGINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ050N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ050N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ050N03LSGINCT
BSZ050N03LSGINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),93A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC042N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC042N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC042N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC042N03LSGINCT
BSC042N03LSGINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC030N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC030N03LS GCT
BSC030N03LS GCT-ND
BSC030N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD040N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD040N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD040N03LGINCT
IPD040N03LGINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ035N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ035N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ035N03LSGATMA1CT
BSZ035N03LSGINCT
BSZ035N03LSGINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8113TRPBF
仓库库存编号:
IRF8113PBFCT-ND
别名:*IRF8113TRPBF
IRF8113PBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),39A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC120N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC120N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC120N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03LSGINCT
BSC120N03LSGINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),48A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC090N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC090N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC090N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC090N03LSGINCT
BSC090N03LSGINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),45W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ058N03LS G
仓库库存编号:
BSZ058N03LSGINCT-ND
别名:BSZ058N03LSGINCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB065N03L G
仓库库存编号:
IPB065N03LGINCT-ND
别名:IPB065N03LGINCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V S308
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ0901NS
仓库库存编号:
BSZ0901NSCT-ND
别名:BSZ0901NSCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC079N03LSCGATMA1
仓库库存编号:
BSC079N03LSCGATMA1CT-ND
别名:BSC079N03LSCGATMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),98A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC883N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC883N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC883N03LS GCT
BSC883N03LS GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道
型号:
BSC882N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC882N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC882N03LSGATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC034N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC034N03LSGATMA1TR-ND
别名:BSC034N03LS G
BSC034N03LS G-ND
SP000475948
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),65A(Tc) 2.5W(Ta),39W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC886N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC886N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC886N03LS GCT
BSC886N03LS GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8
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BSZ100N03LSGATMA1
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BSZ100N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ100N03LSGINCT
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