产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 119W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR825TRPBF
仓库库存编号:
IRFR825TRPBFCT-ND
别名:IRFR825TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R660CFD
仓库库存编号:
IPB65R660CFDCT-ND
别名:IPB65R660CFDCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 12.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 30.5W(Tc) PG-TO251
型号:
IPS70R900P7SAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R900P7SAKMA1-ND
别名:SP001499716
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 12.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 30.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R900P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R900P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD70R900P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP06N80C3
仓库库存编号:
SPP06N80C3IN-ND
别名:SP000013366
SP0000683154
SP000683154
SPP06N80C3IN
SPP06N80C3X
SPP06N80C3XK
SPP06N80C3XKSA1
SPP06N80C3XTIN
SPP06N80C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R600P7XKSA1-ND
别名:SP001606032
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 6.5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R900P7SATMA1
仓库库存编号:
IPN70R900P7SATMA1CT-ND
别名:IPN70R900P7SATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN60R600P7SATMA1
仓库库存编号:
IPN60R600P7SATMA1CT-ND
别名:IPN60R600P7SATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R900P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R900P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R900P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 39W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA06N80C3
仓库库存编号:
SPA06N80C3IN-ND
别名:SP000216302
SPA06N80C3IN
SPA06N80C3X
SPA06N80C3XK
SPA06N80C3XKSA1
SPA06N80C3XTIN
SPA06N80C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R600P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R900P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R900P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R900P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 21W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001658294
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 21W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001618082
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 21W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600P7XKSA1-ND
别名:SP001618084
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R900P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R900P7AKMA1-ND
别名:SP001633512
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R900P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R900P7AKMA1-ND
别名:SP001633526
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R900P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R900P7XKSA1-ND
别名:SP001633482
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP80R900P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R900P7XKSA1-ND
别名:SP001633486
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R660CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R660CFDBTMA1TR-ND
别名:IPD65R660CFD
IPD65R660CFD-ND
SP000745024
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R660CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R660CFDATMA1-ND
别名:SP001117748
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R660CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPD65R660CFDAATMA1-ND
别名:SP000928260
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6A(Tc) 27.8W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R660CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R660CFDXKSA1-ND
别名:IPA65R660CFD
IPA65R660CFD-ND
SP000838284
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R660CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPI65R660CFDXKSA1-ND
别名:IPI65R660CFD
IPI65R660CFD-ND
SP000861696
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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