产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Ta) 1.79W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7726TRPBF
仓库库存编号:
IRF7726TRPBFCT-ND
别名:IRF7726TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1018ETRPBF
仓库库存编号:
IRFR1018ETRPBFCT-ND
别名:IRFR1018ETRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB054N08N3 G
仓库库存编号:
IPB054N08N3 GCT-ND
别名:IPB054N08N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD053N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD053N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD053N08N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC047N08NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC047N08NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC047N08NS3 GCT
BSC047N08NS3 GCT-ND
BSC047N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S2L13ATMA4
仓库库存编号:
IPD30N06S2L13ATMA4CT-ND
别名:IPD30N06S2L13ATMA4CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 79A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1018EPBF
仓库库存编号:
IRF1018EPBF-ND
别名:SP001574502
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 79A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1018ESTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1018ESTRLPBFCT-ND
别名:IRF1018ESTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC042NE7NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC042NE7NS3 GCT
BSC042NE7NS3 GCT-ND
BSC042NE7NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 39W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA057N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA057N08N3GXKSA1-ND
别名:IPA057N08N3 G
IPA057N08N3 G-ND
IPA057N08N3G
SP000454442
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP057N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP057N08N3GXKSA1-ND
别名:IPP057N08N3 G
IPP057N08N3 G-ND
IPP057N08N3G
SP000680810
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD127N06LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD127N06LGBTMA1CT-ND
别名:IPD127N06LG
IPD127N06LGINCT
IPD127N06LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N06S2L13ATMA2
仓库库存编号:
IPD50N06S2L13ATMA2-ND
别名:SP001063626
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8.9A(Ta) 2.35W(Ta) 8-SO
型号:
BSO303SPNTMA1
仓库库存编号:
BSO303SPNTMA1TR-ND
别名:BSO303SPT
BSO303SPXTINTR
BSO303SPXTINTR-ND
SP000014019
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1018E
仓库库存编号:
AUIRF1018E-ND
别名:SP001519520
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 1.79W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7726TR
仓库库存编号:
IRF7726CT-ND
别名:*IRF7726TR
IRF7726CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8.9A(Ta) 2.35W(Ta) P-DSO-8
型号:
BSO303SPNTMA1
仓库库存编号:
BSO303SPINCT-ND
别名:BSO303SPINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2L-13
仓库库存编号:
SPD30N06S2L-13-ND
别名:SP000012478
SPD30N06S2L13T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD50N06S2L-13
仓库库存编号:
SPD50N06S2L-13-ND
别名:SP000013568
SPD50N06S2L13T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) TO-262
型号:
IRF1018ESLPBF
仓库库存编号:
IRF1018ESLPBF-ND
别名:SP001550908
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 56A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU1018EPBF
仓库库存编号:
IRFU1018EPBF-ND
别名:SP001565188
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N06S2L13ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N06S2L13ATMA1TR-ND
别名:IPD50N06S2L-13
IPD50N06S2L-13-ND
SP000252172
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI057N08N3 G
仓库库存编号:
IPI057N08N3 G-ND
别名:SP000395182
SP000680662
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1018ES
仓库库存编号:
AUIRF1018ES-ND
别名:SP001517308
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR1018E
仓库库存编号:
AUIRFR1018E-ND
别名:SP001522694
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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