产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 90A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 310W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP2907ZPBF
仓库库存编号:
IRFP2907ZPBF-ND
别名:*IRFP2907ZPBF
SP001571048
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 94A(Tc) 580W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP90N20DPBF
仓库库存编号:
IRFP90N20DPBF-ND
别名:*IRFP90N20DPBF
SP001552070
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 417W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R120C3
仓库库存编号:
IPW90R120C3-ND
别名:IPW90R120C3FKSA1
IPW90R120C3XK
Q4173182
SP000413750
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF2907ZPBF
仓库库存编号:
IRF2907ZPBF-ND
别名:*IRF2907ZPBF
SP001571154
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 70A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 517W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4868PBF
仓库库存编号:
IRFP4868PBF-ND
别名:SP001556792
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 93A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 93A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4768PBF
仓库库存编号:
IRFP4768PBF-ND
别名:SP001571028
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF2907Z
仓库库存编号:
AUIRF2907Z-ND
别名:SP001515818
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 135V 129A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 129A(Tc) 441W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IRF135B203
仓库库存编号:
IRF135B203-ND
别名:SP001576588
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
详细描述:通孔 N 沟道 63.3A(Tc) 500W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R048CFDAFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R048CFDAFKSA1-ND
别名:SP000895318
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 197A(Tc) 294W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRFS7734TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS7734TRL7PPCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 135V 129A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 129A(Tc) 441W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRF135S203
仓库库存编号:
IRF135S203CT-ND
别名:IRF135S203CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 183A(Tc) 290W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7734TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7734TRLPBFCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S4H1ATMA2
仓库库存编号:
IPB120N06S4H1ATMA2-ND
别名:SP001028782
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 183A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 183A(Tc) 290W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7734PBF
仓库库存编号:
IRFSL7734PBF-ND
别名:SP001557658
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N06S4H1ATMA2
仓库库存编号:
IPB180N06S4H1ATMA2-ND
别名:SP001028786
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 160A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2907ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF2907ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF2907ZSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S4H1AKSA2
仓库库存编号:
IPP120N06S4H1AKSA2-ND
别名:SP001028780
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 183A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 183A(Tc) 290W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7734PBF
仓库库存编号:
IRFB7734PBF-ND
别名:SP001565862
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 75V 170A(Tc) 310W(Tc) TO-247AC
型号:
AUIRFP2907Z
仓库库存编号:
AUIRFP2907Z-ND
别名:SP001521648
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 160A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
IRF2907ZLPBF
仓库库存编号:
IRF2907ZLPBF-ND
别名:SP001576784
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S4H1ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S4H1ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-H1
IPB120N06S4-H1-ND
SP000396274
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N06S4H1ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N06S4H1ATMA1TR-ND
别名:IPB180N06S4-H1
IPB180N06S4-H1-ND
SP000415562
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N06S4H1AKSA1-ND
别名:IPI120N06S4-H1
IPI120N06S4-H1-ND
SP000415620
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N06S4H1AKSA1-ND
别名:IPP120N06S4-H1
IPP120N06S4-H1-ND
SP000415698
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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