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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF2204SPBF
  仓库库存编号：IRF2204SPBF-ND
  别名：*IRF2204SPBF
  SP001563220
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3415STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3415STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3415STRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3415PBF
  仓库库存编号：IRF3415PBF-ND
  别名：*IRF3415PBF
  64-0006PBF
  64-0006PBF-ND
  SP001564438
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N10S402ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N10S402ATMA1CT-ND
  别名：IPB180N10S402ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 162A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1404LPBF
  仓库库存编号：IRF1404LPBF-ND
  别名：*IRF1404LPBF
  SP001576598
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRF3805S-7PPBF
  仓库库存编号：IRF3805S-7PPBF-ND
  别名：64-2095PBF
  64-2095PBF-ND
  IRF3805S7PPBF
  SP001553992
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 34.6A（Tc） 313W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW35N60C3
  仓库库存编号：SPW35N60C3IN-ND
  别名：SP000014970
  SPW35N60C3-ND
  SPW35N60C3FKSA1
  SPW35N60C3IN
  SPW35N60C3X
  SPW35N60C3XK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 210A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF2204PBF
  仓库库存编号：IRF2204PBF-ND
  别名：*IRF2204PBF
  SP001576552
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRF3805STRL-7PP
  仓库库存编号：IRF3805STRL-7PPCT-ND
  别名：IRF3805STRL-7PPCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 43A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 200W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP3415PBF
  仓库库存编号：IRFP3415PBF-ND
  别名：*IRFP3415PBF
  SP001566972
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 162A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1404STRLPBF
  仓库库存编号：IRF1404STRLPBFCT-ND
  别名：IRF1404STRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 130A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 96W（Tc） DirectFET? Isometric ME
  
  型号：IRF60DM206
  仓库库存编号：IRF60DM206CT-ND
  别名：IRF60DM206CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N08S207AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N08S207AKSA1-ND
  别名：IPP100N08S2-07
  IPP100N08S2-07-ND
  SP000219005
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N08S207ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N08S207ATMA1TR-ND
  别名：IPB100N08S2-07
  IPB100N08S2-07-ND
  SP000219044
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1503PBF
  仓库库存编号：IRF1503PBF-ND
  别名：*IRF1503PBF
  SP001561384
  
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  MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1503STRLPBF
  仓库库存编号：IRF1503STRLPBF-ND
  别名：SP001550938
  
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  MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI100N08S207AKSA1
  仓库库存编号：IPI100N08S207AKSA1-ND
  别名：IPI100N08S2-07
  IPI100N08S2-07-ND
  SP000219041
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1503SPBF
  仓库库存编号：IRF1503SPBF-ND
  别名：*IRF1503SPBF
  SP001561632
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 206A（Tc） 300W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
  
  型号：IRFBA1404PPBF
  仓库库存编号：IRFBA1404PPBF-ND
  别名：*IRFBA1404PPBF
  SP001565842
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 43A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRF3415
  仓库库存编号：AUIRF3415-ND
  别名：SP001516548
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V 202A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF1404STRL
  仓库库存编号：AUIRF1404STRL-ND
  别名：SP001517298
  
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  MOSFET N-CH 55V 160A HEXFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRF3805S-7TRL
  仓库库存编号：AUIRF3805S-7TRL-ND
  别名：SP001516538
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 160A TO262-7
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 160A（Tc） 300W（Tc） TO-262
  
  型号：AUIRF3805L-7P
  仓库库存编号：AUIRF3805L-7P-ND
  别名：SP001515798
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 43A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3415S
  仓库库存编号：IRF3415S-ND
  别名：*IRF3415S
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 162A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：94-2110
  仓库库存编号：94-2110-ND
  别名：*IRF1404S
  IRF1404S
  IRF1404S-ND
  SP001521470
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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