产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7465TRPBF
仓库库存编号:
IRF7465PBFCT-ND
别名:*IRF7465TRPBF
IRF7465PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC097N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC097N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC097N06NSATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC500N20NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC500N20NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC500N20NS3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD090N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD090N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD090N03LGATMA1CT
IPD090N03LGINCT
IPD090N03LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 8.8A(Tc) 42W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP08P06PHXKSA1
仓库库存编号:
SPP08P06PHXKSA1-ND
别名:SP000446908
SPP08P06P G
SPP08P06P G-ND
SPP08P06P H
SPP08P06P H-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),39A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC120N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC120N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC120N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03LSGINCT
BSC120N03LSGINCT-ND
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 38A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 278W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R099C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R099C6XKSA1-ND
别名:SP000895218
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R650CE
仓库库存编号:
IPD50R650CECT-ND
别名:IPD50R650CECT
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),44A(Tc) 2.5W(Ta),27W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0909NSATMA1
仓库库存编号:
BSC0909NSATMA1CT-ND
别名:BSC0909NSATMA1CT-NDTR-ND
BSC0909NSCT
BSC0909NSCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 69W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R650CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R650CEATMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 2.1W(Ta),36W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ100N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ100N06NSATMA1CT-ND
别名:BSZ100N06NSATMA1CT
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),27W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0506NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ0506NSATMA1CT-ND
别名:BSZ0506NSATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD03N50C3ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N50C3
仓库库存编号:
SPD03N50C3INCT-ND
别名:SPD03N50C3INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 74W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC360N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC360N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC360N15NS3 GCT
BSC360N15NS3 GCT-ND
BSC360N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R900P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R900P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R900P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R900P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R900P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R900P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R900P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R900P7AKMA1-ND
别名:SP001633512
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R900P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R900P7AKMA1-ND
别名:SP001633526
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R900P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R900P7XKSA1-ND
别名:SP001633482
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 45W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP80R900P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R900P7XKSA1-ND
别名:SP001633486
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD090N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD090N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236950
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.7W(Ta),28W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8334TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8334TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8334TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 2.1W(Ta) PG-TDSON-8
型号:
BSZ0589NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ0589NSATMA1-ND
别名:SP001586396
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta),72A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0504NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0504NSIATMA1-ND
别名:SP001288146
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V,
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