产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.9A(Ta),31A(Tc) 2.1W(Ta),25W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ165N04NS G
仓库库存编号:
BSZ165N04NSGINCT-ND
别名:BSZ165N04NSGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),26W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ065N03LS
仓库库存编号:
BSZ065N03LSCT-ND
别名:BSZ065N03LSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR120ZTRPBFCT-ND
别名:IRFR120ZTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4CFDBTMA1CT-ND
别名:IPD65R1K4CFDBTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R1K4P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K4P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K4P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 101W(Tc) TO-247-3
型号:
IPW80R280P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW80R280P7XKSA1-ND
别名:SP001422758
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R1K4P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R1K4P7AKMA1-ND
别名:SP001422736
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R1K4P7XKSA1-ND
别名:SP001422718
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 24W(Tc) TO-220-3F
型号:
IPA80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R1K4P7XKSA1-ND
别名:SP001422546
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N03L G
仓库库存编号:
IPD135N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD135N03L GCT
IPD135N03L GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R1K4P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R1K4P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R1K4P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD14N06S280ATMA2
仓库库存编号:
IPD14N06S280ATMA2-ND
别名:SP001063642
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 2.8A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4CFDATMA1-ND
别名:SP001117732
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR120ZTRL
仓库库存编号:
AUIRFR120ZTRL-ND
别名:SP001520338
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120Z
仓库库存编号:
IRFR120Z-ND
别名:*IRFR120Z
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU120Z
仓库库存编号:
IRFU120Z-ND
别名:*IRFU120Z
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120ZTR
仓库库存编号:
IRFR120ZTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120ZTRL
仓库库存编号:
IRFR120ZTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU120ZPBF
仓库库存编号:
IRFU120ZPBF-ND
别名:*IRFU120ZPBF
SP001578408
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP615S2L
仓库库存编号:
BSP615S2L-ND
别名:BSP615S2LT
SP000013181
SP000440622
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 30W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD14N06S2-80
仓库库存编号:
SPD14N06S2-80-ND
别名:SP000013575
SPD14N06S280T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 16A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD800N06NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD800N06NGBTMA1CT-ND
别名:IPD800N06NG
IPD800N06NGINCT
IPD800N06NGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N03LGXT
仓库库存编号:
IPD135N03LGXTCT-ND
别名:IPD135N03LGINCT
IPD135N03LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 20A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP147N03L G
仓库库存编号:
IPP147N03LGIN-ND
别名:IPP147N03LGIN
IPP147N03LGXK
SP000266315
SP000680874
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS135N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS135N03LGAKMA1-ND
别名:IPS135N03L G
IPS135N03LGIN
IPS135N03LGIN-ND
IPS135N03LGXK
SP000257455
SP000788220
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