产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB33N15DPBF
仓库库存编号:
IRFB33N15DPBF-ND
别名:*IRFB33N15DPBF
SP001566470
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S4H2ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND
别名:IPB100N04S4H2ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 40.5W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI7446GPBF
仓库库存编号:
IRFI7446GPBF-ND
别名:SP001560478
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N04S4H2AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N04S4H2AKSA1-ND
别名:IPP100N04S4-H2
IPP100N04S4-H2-ND
SP000711278
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N04S4H2AKSA1
仓库库存编号:
IPI100N04S4H2AKSA1-ND
别名:IPI100N04S4-H2
IPI100N04S4-H2-ND
SP000711282
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS33N15DTRLP
仓库库存编号:
IRFS33N15DTRLP-ND
别名:SP001573500
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 33A(Tc) 120W(Tc) PG-TO263-5
型号:
BTS247ZE3062AATMA2
仓库库存编号:
BTS247ZE3062AATMA2-ND
别名:SP000910846
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 165A(Tc) 167W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IAUT165N08S5N029ATMA2
仓库库存编号:
IAUT165N08S5N029ATMA2-ND
别名:SP001585162
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS33N15D
仓库库存编号:
IRFS33N15D-ND
别名:*IRFS33N15D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB33N15D
仓库库存编号:
IRFB33N15D-ND
别名:*IRFB33N15D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL33N15D
仓库库存编号:
IRFSL33N15D-ND
别名:*IRFSL33N15D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS33N15DPBF
仓库库存编号:
IRFS33N15DPBF-ND
别名:*IRFS33N15DPBF
SP001571762
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 33A(Tc) 120W(Tc) TO-220-5
型号:
BTS247Z E3062A
仓库库存编号:
BTS247Z E3062A-ND
别名:BTS247ZE3062AATMA1
BTS247ZE3062ANT
BTS247ZE3062AT
BTS247ZE3062AT-ND
SP000012187
SP000399010
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述:通孔 N 沟道 55V 33A(Tc) 120W(Tc) PG-TO220-5-3
型号:
BTS247ZAKSA1
仓库库存编号:
BTS247ZAKSA1-ND
别名:BTS247Z
BTS247Z-ND
BTS247ZNK
SP000012184
SP000468058
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述:通孔 N 沟道 55V 33A(Tc) 120W(Tc) P-TO220-5
型号:
BTS247ZE3043AKSA1
仓库库存编号:
BTS247ZE3043AKSA1-ND
别名:BTS247Z E3043
BTS247Z E3043-ND
BTS247ZE3043
BTS247ZE3043NK
SP000012185
SP000399008
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL33N15DTRRP
仓库库存编号:
IRFSL33N15DTRRP-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 98A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP08CN10L G
仓库库存编号:
IPP08CN10L G-ND
别名:SP000308791
SP000680842
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),160W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRLH5036TR2PBF
仓库库存编号:
IRLH5036TR2PBFCT-ND
别名:IRLH5036TR2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V,
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