产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD088N06N3 G
仓库库存编号:
IPD088N06N3 GCT-ND
别名:IPD088N06N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30P06P G
仓库库存编号:
SPD30P06P GCT-ND
别名:SPD30P06P GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70N03S4L-04
仓库库存编号:
IPD70N03S4L-04CT-ND
别名:IPD70N03S4L-04CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Ta) 1W(Ta) PG-SOT223
型号:
AUIRLL2705TR
仓库库存编号:
AUIRLL2705TRCT-ND
别名:AUIRLL2705TRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD15P10PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD15P10PGBTMA1CT-ND
别名:SPD15P10PGBTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
IPA093N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA093N06N3GXKSA1-ND
别名:IPA093N06N3 G
IPA093N06N3 G-ND
IPA093N06N3G
SP000451088
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP16CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP16CN10NGXKSA1-ND
别名:IPP16CN10N G
IPP16CN10N G-ND
IPP16CN10NG
IPP16CN10NGIN
IPP16CN10NGIN-ND
IPP16CN10NGX
IPP16CN10NGXK
SP000680880
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2705TRPBF
仓库库存编号:
IRLL2705PBFCT-ND
别名:*IRLL2705TRPBF
IRLL2705PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP16CN10NGHKSA1
仓库库存编号:
IPP16CN10NGHKSA1-ND
别名:SP000096469
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
详细描述:通孔 P 沟道 100V 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP15P10PHXKSA1
仓库库存编号:
SPP15P10PHXKSA1-ND
别名:SP000683160
SPP15P10P H
SPP15P10P H-ND
SPP15P10PH
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 3.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2705TR
仓库库存编号:
IRLL2705CT-ND
别名:*IRLL2705TR
IRLL2705CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 30A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30P06P
仓库库存编号:
SPD30P06PINCT-ND
别名:SPD30P06PINCT
SPD30P06PXTINCT
SPD30P06PXTINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP16CNE8N G
仓库库存编号:
IPP16CNE8N G-ND
别名:IPP16CNE8NGX
IPP16CNE8NGXK
SP000096470
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 30A(Tc) 125W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU30P06P
仓库库存编号:
SPU30P06PIN-ND
别名:SP000012844
SPU30P06P-ND
SPU30P06PIN
SPU30P06PX
SPU30P06PXK
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 4.6A(Ta),26A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MZ
型号:
IRF6641TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6641TR1PBFCT-ND
别名:IRF6641TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB16CN10N G
仓库库存编号:
IPB16CN10N G-ND
别名:SP000096452
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD16CN10N G
仓库库存编号:
IPD16CN10N G-ND
别名:SP000096454
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD16CNE8N G
仓库库存编号:
IPD16CNE8N G-ND
别名:SP000096455
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI16CN10N G
仓库库存编号:
IPI16CN10N G-ND
别名:SP000208930
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 85V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI16CNE8N G
仓库库存编号:
IPI16CNE8N G-ND
别名:SP000208931
SP000680720
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 100V 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP15P10PGHKSA1
仓库库存编号:
SPP15P10PGHKSA1-ND
别名:SP000212313
SPP15P10P G
SPP15P10P G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta),24A(Tc) 2.8W(Ta) PQFN(3x3)
型号:
IRFHM9331TR2PBF
仓库库存编号:
IRFHM9331TR2PBFCT-ND
别名:IRFHM9331TR2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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