产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP149H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP149H6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VTRPBF
仓库库存编号:
IRF7807VPBFCT-ND
别名:*IRF7807VTRPBF
IRF7807VPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703TRPBF
仓库库存编号:
IRLL2703TRPBFCT-ND
别名:IRLL2703TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSP149H6906XTSA1CT-ND
别名:BSP149H6906XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703
仓库库存编号:
IRLL2703-ND
别名:*IRLL2703
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703TR
仓库库存编号:
IRLL2703TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VTR
仓库库存编号:
IRF7807VTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 14A(Ta),35A(Tc) 2.8W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC085N025S G
仓库库存编号:
BSC085N025S G-ND
别名:BSC085N025SGXT
SP000095469
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.6A(Ta),35A(Tc) 2.8W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC094N03S G
仓库库存编号:
BSC094N03S G-ND
别名:BSC094N03SGXT
SP000016415
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149 E6327
仓库库存编号:
BSP149 E6327-ND
别名:BSP149E6327T
SP000011104
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149 E6906
仓库库存编号:
BSP149 E6906-ND
别名:BSP149E6906T
SP000055414
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149L6906HTSA1
仓库库存编号:
BSP149L6906HTSA1TR-ND
别名:BSP149 L6906
BSP149 L6906-ND
BSP149L6906XT
SP000089215
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP149L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP149L6327
BSP149L6327INCT
BSP149L6327INCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7828TRPBF
仓库库存编号:
IRF7828TRPBFCT-ND
别名:IRF7828TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 5V,
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