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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 81A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），81A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC054N04NSGATMA1
  仓库库存编号：BSC054N04NSGATMA1CT-ND
  别名：BSC054N04NS GCT
  BSC054N04NS GCT-ND
  BSC054N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta），45A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC196N10NSGATMA1
  仓库库存编号：BSC196N10NSGATMA1CT-ND
  别名：BSC196N10NS GCT
  BSC196N10NS GCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.6A（Ta），44A（Tc） 69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC190N12NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC190N12NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC190N12NS3 GCT
  BSC190N12NS3 GCT-ND
  BSC190N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105TRPBF
  仓库库存编号：IRFR4105PBFCT-ND
  别名：*IRFR4105TRPBF
  IRFR4105PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ34NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ34NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRFZ34NSTRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 119W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR825TRPBF
  仓库库存编号：IRFR825TRPBFCT-ND
  别名：IRFR825TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC883N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC883N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC883N03LS GCT
  BSC883N03LS GCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 141W（Tc） PG-HSOF-8
  
  型号：IPT60R102G7XTMA1
  仓库库存编号：IPT60R102G7XTMA1CT-ND
  别名：IPT60R102G7XTMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ34NPBF
  仓库库存编号：IRFZ34NPBF-ND
  别名：*IRFZ34NPBF
  SP001568128
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA90R1K0C3
  仓库库存编号：IPA90R1K0C3-ND
  别名：IPA90R1K0C3XKSA1
  SP000413712
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFIZ34NPBF
  仓库库存编号：IRFIZ34NPBF-ND
  别名：*IRFIZ34NPBF
  SP001575796
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD60N10S412ATMA1
  仓库库存编号：IPD60N10S412ATMA1-ND
  别名：SP001102936
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRFZ34N
  仓库库存编号：AUIRFZ34N-ND
  别名：SP001521138
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.7A（Tc） 89W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90R1K0C3XKSA1
  仓库库存编号：IPP90R1K0C3XKSA1-ND
  别名：IPP90R1K0C3
  IPP90R1K0C3-ND
  SP000413744
  SP000683094
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.7A（Tc） 89W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R1K0C3FKSA1
  仓库库存编号：IPW90R1K0C3FKSA1-ND
  别名：IPW90R1K0C3
  IPW90R1K0C3-ND
  SP000413752
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 17A（Tc） 103W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R125C7AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R125C7AUMA1-ND
  别名：SP001385066
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 19A（Tc） 92W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB60R120C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R120C7ATMA1-ND
  别名：SP001385048
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R120C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R120C7XKSA1-ND
  别名：SP001385040
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 19A（Tc） 92W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R120C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R120C7XKSA1-ND
  别名：SP001385054
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 19A（Tc） 92W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R120C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R120C7XKSA1-ND
  别名：SP001385060
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 27A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
  
  型号：94-4762
  仓库库存编号：94-4762-ND
  别名：*IRFR4105
  IRFR4105
  IRFR4105-ND
  SP001516332
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 21A（Tc） 37W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFIZ34E
  仓库库存编号：IRFIZ34E-ND
  别名：*IRFIZ34E
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7321D2
  仓库库存编号：IRF7321D2-ND
  别名：*IRF7321D2
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7321D2TR
  仓库库存编号：IRF7321D2TR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ34NS
  仓库库存编号：IRFZ34NS-ND
  别名：*IRFZ34NS
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
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