产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC110N06NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC110N06NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC110N06NS3 GCT
BSC110N06NS3 GCT-ND
BSC110N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ110N06NS3 G
仓库库存编号：
BSZ110N06NS3GINCT-ND
别名：BSZ110N06NS3GINCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD18P06P G
仓库库存编号：
SPD18P06P GCT-ND
别名：SPD18P06P GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP613PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP613PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSP613PH6327XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 75W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD22N08S2L50ATMA1
仓库库存编号：
IPD22N08S2L50ATMA1CT-ND
别名：IPD22N08S2L50ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 63W（Tc） PG-TDSON-8-23
型号：
IPC60N04S406ATMA1
仓库库存编号：
IPC60N04S406ATMA1-ND
别名：SP001121640
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0501NSIATMA1
仓库库存编号：
BSC0501NSIATMA1-ND
别名：SP001288140
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0501NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0501NSIATMA1-ND
别名：SP001281638
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 82A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 82A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC061N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC061N08NS5ATMA1-ND
别名：SP001232634
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 31A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ014NE2LS5IFATMA1
仓库库存编号：
BSZ014NE2LS5IFATMA1-ND
别名：SP001258924
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7353D1
仓库库存编号：
IRF7353D1-ND
别名：*IRF7353D1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7353D1TR
仓库库存编号：
IRF7353D1TR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7353D2
仓库库存编号：
IRF7353D2-ND
别名：*IRF7353D2
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 1.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF3000
仓库库存编号：
IRF3000-ND
别名：*IRF3000
Q1439458
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 1.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF3000PBF
仓库库存编号：
IRF3000PBF-ND
别名：*IRF3000PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7353D1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7353D1PBFCT-ND
别名：*IRF7353D1TRPBF
IRF7353D1PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7353D2TRPBF
仓库库存编号：
IRF7353D2PBFCT-ND
别名：*IRF7353D2TRPBF
IRF7353D2PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP613P
仓库库存编号：
BSP613P-ND
别名：BSP613PT
SP000012301
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 25A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 25A（Tc） 75W（Tc） P-TO252-3
型号：
SPD22N08S2L-50
仓库库存编号：
SPD22N08S2L-50-ND
别名：SP000013910
SPD22N08S2L50T
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
详细描述：通孔 P 沟道 60V 18.6A（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU18P06P
仓库库存编号：
SPU18P06PIN-ND
别名：SP000012303
SPU18P06P-ND
SPU18P06PIN
SPU18P06PX
SPU18P06PXK
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP613PL6327HUSA1
仓库库存编号：
BSP613PL6327HUSA1CT-ND
别名：BSP613PL6327
BSP613PL6327INCT
BSP613PL6327INCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD18P06P
仓库库存编号：
SPD18P06PINCT-ND
别名：SPD18P06PINCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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