产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R385CPATMA1
仓库库存编号:
IPD60R385CPATMA1CT-ND
别名:IPD60R385CPATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.4A(Tc) 176W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R180P6AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R180P6AUMA1CT-ND
别名:IPL60R180P6AUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R190C6
仓库库存编号:
IPA60R190C6-ND
别名:IPA60R190C6XKSA1
SP000621152
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R099CP
仓库库存编号:
IPB60R099CPCT-ND
别名:IPB60R099CPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 37.9A(Tc) 35W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R099C6
仓库库存编号:
IPA60R099C6-ND
别名:IPA60R099C6XKSA1
SP000658000
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 37.9A(Tc) 278W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R099C6
仓库库存编号:
IPP60R099C6-ND
别名:IPP60R099C6XKSA1
SP000687556
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 37.9A(Tc) 278W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R099C6
仓库库存编号:
IPW60R099C6-ND
别名:IPW60R099C6FKSA1
SP000641908
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 57.7A(Tc) 480.8W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R074C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R074C6XKSA1-ND
别名:SP000898652
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 227W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R040C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R040C7XKSA1-ND
别名:SP001296190
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3
详细描述:通孔 N 沟道 77.5A(Tc) 481W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R041C6
仓库库存编号:
IPW60R041C6-ND
别名:IPW60R041C6FKSA1
SP000718886
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS126H6327XTSA2
仓库库存编号:
BSS126H6327XTSA2CT-ND
别名:BSS126H6327XTSA2CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN60R3K4CEATMA1
仓库库存编号:
IPN60R3K4CEATMA1CT-ND
别名:IPN60R3K4CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 90mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS225H6327FTSA1
仓库库存编号:
BSS225H6327FTSA1CT-ND
别名:BSS225H6327FTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 18.1W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R3K3C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R3K3C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R3K3C6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS126H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSS126H6906XTSA1CT-ND
别名:BSS126 H6906CT
BSS126 H6906CT-ND
BSS126H6906XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600P6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.7A(Tc) 56.8W(Tc) 8-ThinPak(5x6)
型号:
IPL60R650P6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R650P6SATMA1CT-ND
别名:IPL60R650P6SATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 120mA(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223-4
型号:
BSP135H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP135H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP135H6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R190P6
仓库库存编号:
IPP60R190P6-ND
别名:IPP60R190P6XKSA1
SP001017066
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 68W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP60R180C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R180C7XKSA1-ND
别名:SP001277624
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R190C6
仓库库存编号:
IPW60R190C6-ND
别名:IPW60R190C6FKSA1
SP000621160
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681058
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 34.5W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
SPA20N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA20N60C3XKSA1-ND
别名:SP000216354
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R125C6
仓库库存编号:
IPA60R125C6-ND
别名:IPA60R125C6XKSA1
SP000685848
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 37.9A(Tc) 278W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R099P6XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R099P6XKSA1-ND
别名:SP001114658
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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