产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK652R1-30C,127
仓库库存编号:
568-7491-5-ND
别名:568-7491-5
934064241127
BUK652R1-30C,127-ND
BUK652R130C127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 306W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK652R0-30C,127
仓库库存编号:
568-7490-5-ND
别名:568-7490-5
934064466127
BUK652R0-30C,127-ND
BUK652R030C127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH3330L,115
仓库库存编号:
PH3330L,115-ND
别名:934058817115
PH3330L T/R
PH3330L T/R-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23.7A(Tc) 6.25W(Tc) 8-SO
型号:
PHK28NQ03LT,518
仓库库存编号:
PHK28NQ03LT,518-ND
别名:934057264518
PHK28NQ03LT /T3
PHK28NQ03LT /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 204W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK652R7-30C,127
仓库库存编号:
568-7494-5-ND
别名:568-7494-5
934064251127
BUK652R7-30C,127-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9505-30A,127
仓库库存编号:
568-9747-5-ND
别名:568-9747-5
934055406127
BUK9505-30A
BUK9505-30A,127-ND
BUK9505-30A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH6530AL,115
仓库库存编号:
568-7366-1-ND
别名:568-7366-1
PH6530AL115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 128W(Tc) DPAK
型号:
BUK6207-30C,118
仓库库存编号:
568-6977-1-ND
别名:568-6977-1
BUK620730C118
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 76.7A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH6030L,115
仓库库存编号:
PH6030L,115-ND
别名:934061643115
PH6030L T/R
PH6030L T/R-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 95.9A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 95.9A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH4330L,115
仓库库存编号:
PH4330L,115-ND
别名:934061961115
PH4330L T/R
PH4330L T/R-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 79W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN3R7-30YLC,115
仓库库存编号:
568-6735-1-ND
别名:568-6735-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.2A(Ta) 510mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV22EN,215
仓库库存编号:
568-7535-1-ND
别名:568-7535-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.8A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.8A(Ta) 510mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV20XN,215
仓库库存编号:
568-7534-1-ND
别名:568-7534-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Tc) 50W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN9R0-30LL,115
仓库库存编号:
568-5597-1-ND
别名:568-5597-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.5A(Tc) 830mW(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV117EN,215
仓库库存编号:
568-8111-1-ND
别名:568-8111-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 69W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN3R8-30LL,115
仓库库存编号:
568-5592-1-ND
别名:568-5592-1
PSMN3R830LL115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 63A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH9930L,115
仓库库存编号:
PH9930L,115-ND
别名:934061155115
PH9930L T/R
PH9930L T/R-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 254W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E04-30B,127
仓库库存编号:
568-6637-5-ND
别名:568-6637
568-6637-5
568-6637-ND
934058069127
BUK9E04-30B
BUK9E04-30B,127-ND
BUK9E04-30B-ND
BUK9E0430B127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4410DY,518
仓库库存编号:
SI4410DY,518-ND
别名:934056382518
SI4410DY /T3
SI4410DY /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.9A(Tc) 1.75W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN34UN,135
仓库库存编号:
568-7420-1-ND
别名:568-7420-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH9030AL,115
仓库库存编号:
PH9030AL,115-ND
别名:934063092115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 43.4A(Tc) 57.6W(Tc) DPAK
型号:
PHD36N03LT,118
仓库库存编号:
PHD36N03LT,118-ND
别名:934057949118
PHD36N03LT /T3
PHD36N03LT /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 98A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH3830L,115
仓库库存编号:
568-2346-1-ND
别名:568-2346-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 46W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN9R0-30YL,115
仓库库存编号:
568-4687-1-ND
别名:568-4687-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH4530L,115
仓库库存编号:
568-2179-1-ND
别名:568-2179-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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