产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
NXP USA Inc. (14)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 136W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF640,127
仓库库存编号:
568-1161-5-ND
别名:568-1161-5
934055545127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 200V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BS108,126
仓库库存编号:
BS108,126-ND
别名:934003840126
BS108 AMO
BS108 AMO-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 200V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BS108/01,126
仓库库存编号:
BS108/01,126-ND
别名:934009850126
BS108/01 AMO
BS108/01 AMO-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 4.8A(Tc) 42W(Tc) DPAK
型号:
IRFR220,118
仓库库存编号:
IRFR220,118-ND
别名:934056819118
IRFR220 /T3
IRFR220 /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 14A(Tc) 125W(Tc) DPAK
型号:
PHD14NQ20T,118
仓库库存编号:
PHD14NQ20T,118-ND
别名:934057072118
PHD14NQ20T /T3
PHD14NQ20T /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 21.1A(Tc) 150W(Tc) DPAK
型号:
PHD22NQ20T,118
仓库库存编号:
PHD22NQ20T,118-ND
别名:934058112118
PHD22NQ20T /T3
PHD22NQ20T /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 4A(Tc) 6.25W(Tc) 8-SO
型号:
PHK4NQ20T,518
仓库库存编号:
PHK4NQ20T,518-ND
别名:934057303518
PHK4NQ20T /T3
PHK4NQ20T /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 14.4A(Tc) 62.5W(Tc) 8-HVSON(6x5)
型号:
PHM12NQ20T,518
仓库库存编号:
PHM12NQ20T,518-ND
别名:934057302518
PHM12NQ20T /T3
PHM12NQ20T /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 17.5A 8HVSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 17.5A(Tc) 62.5W(Tc) 8-HVSON(6x5)
型号:
PHM15NQ20T,518
仓库库存编号:
PHM15NQ20T,518-ND
别名:934057304518
PHM15NQ20T /T3
PHM15NQ20T /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 14A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 14A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP14NQ20T,127
仓库库存编号:
PHP14NQ20T,127-ND
别名:934055683127
PHP14NQ20T
PHP14NQ20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
详细描述:通孔 N 沟道 200V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
PSMN040-200W,127
仓库库存编号:
PSMN040-200W,127-ND
别名:934055781127
PSMN040-200W
PSMN040-200W-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7.6A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
PHX14NQ20T,127
仓库库存编号:
PHX14NQ20T,127-ND
别名:934055773127
PHX14NQ20T
PHX14NQ20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 8.2A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 8.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
PHX18NQ20T,127
仓库库存编号:
PHX18NQ20T,127-ND
别名:934056396127
PHX18NQ20T
PHX18NQ20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 25W(Tc) TO-220-3
型号:
PHX9NQ20T,127
仓库库存编号:
PHX9NQ20T,127-ND
别名:934055769127
PHX9NQ20T
PHX9NQ20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号