产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205TRPBF
仓库库存编号:
IRFR1205PBFCT-ND
别名:*IRFR1205TRPBF
IRFR1205PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Ta) 107W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB144N12N3 G
仓库库存编号:
IPB144N12N3 GCT-ND
别名:IPB144N12N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ46NPBF
仓库库存编号:
IRFZ46NPBF-ND
别名:*IRFZ46NPBF
SP001571842
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Ta) 107W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP147N12N3 G
仓库库存编号:
IPP147N12N3 G-ND
别名:IPP147N12N3G
IPP147N12N3GXKSA1
SP000652742
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU1205PBF
仓库库存编号:
IRFU1205PBF-ND
别名:*IRFU1205PBF
SP001578428
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3103PBFCT-ND
别名:*IRLR3103TRPBF
IRLR3103PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 17A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP17N25S3100AKSA1
仓库库存编号:
IPP17N25S3100AKSA1-ND
别名:SP001025116
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LAT
仓库库存编号:
IPB04N03LAXTINCT-ND
别名:IPB04N03LAXTINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LA
仓库库存编号:
IPB04N03LAINCT-ND
别名:IPB04N03LAINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 107W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S405ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S405ATMA2-ND
别名:SP001028730
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 107W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S4L05ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S4L05ATMA2-ND
别名:SP001028748
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S405ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S405ATMA2-ND
别名:SP001028718
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L05ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S4L05ATMA2-ND
别名:SP001028720
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 107W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD033N06NATMA1
仓库库存编号:
IPD033N06NATMA1-ND
别名:SP001602182
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 17A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB17N25S3100ATMA1
仓库库存编号:
IPB17N25S3100ATMA1-ND
别名:SP000876560
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S405AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S405AKSA1-ND
别名:IPI80N06S4-05
IPI80N06S4-05-ND
SP000415632
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S405AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S405AKSA1-ND
别名:IPP80N06S4-05
IPP80N06S4-05-ND
SP000415704
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 56A(Ta) 107W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI147N12N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI147N12N3GAKSA1-ND
别名:IPI147N12N3 G
IPI147N12N3 G-ND
IPI147N12N3G
SP000652744
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205
仓库库存编号:
IRFR1205-ND
别名:*IRFR1205
SP001578028
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103
仓库库存编号:
IRLR3103-ND
别名:*IRLR3103
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3103
仓库库存编号:
IRLU3103-ND
别名:*IRLU3103
Q832191
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TR
仓库库存编号:
IRLR3103TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU1205
仓库库存编号:
IRFU1205-ND
别名:*IRFU1205
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205TRL
仓库库存编号:
IRFR1205TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205TRR
仓库库存编号:
IRFR1205TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
含铅
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