产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205TRPBF
仓库库存编号:
IRFR1205PBFCT-ND
别名:*IRFR1205TRPBF
IRFR1205PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 63A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 63A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP5864NG
仓库库存编号:
NTP5864NGOS-ND
别名:NTP5864NG-ND
NTP5864NGOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 107W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD25N15-52_GE3
仓库库存编号:
SQD25N15-52_GE3CT-ND
别名:SQD25N15-52_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Ta) 107W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB144N12N3 G
仓库库存编号:
IPB144N12N3 GCT-ND
别名:IPB144N12N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ46NPBF
仓库库存编号:
IRFZ46NPBF-ND
别名:*IRFZ46NPBF
SP001571842
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP3N80C
仓库库存编号:
FQP3N80CFS-ND
别名:FQP3N80C-ND
FQP3N80CFS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Ta) 107W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP147N12N3 G
仓库库存编号:
IPP147N12N3 G-ND
别名:IPP147N12N3G
IPP147N12N3GXKSA1
SP000652742
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 63A(Tc) 107W(Tc) DPAK
型号:
BUK9214-30A,118
仓库库存编号:
1727-7177-1-ND
别名:1727-7177-1
568-9663-1
568-9663-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 65A(Tc) 107W(Tc) Power56
型号:
FDMS86369_F085
仓库库存编号:
FDMS86369_F085CT-ND
别名:FDMS86369_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 28A(Tc) 107W(Tc) D2PAK
型号:
PHB27NQ10T,118
仓库库存编号:
1727-4763-1-ND
别名:1727-4763-1
568-5940-1
568-5940-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU1205PBF
仓库库存编号:
IRFU1205PBF-ND
别名:*IRFU1205PBF
SP001578428
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3103TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3103PBFCT-ND
别名:*IRLR3103TRPBF
IRLR3103PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 17A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP17N25S3100AKSA1
仓库库存编号:
IPP17N25S3100AKSA1-ND
别名:SP001025116
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Ta),100A(Tc) 107W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18534KCS
仓库库存编号:
296-35012-ND
别名:296-35012
CSD18534KCS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 27.6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 27.6A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP27NQ11T,127
仓库库存编号:
1727-4643-ND
别名:1727-4643
568-5760
568-5760-5
568-5760-5-ND
568-5760-ND
934058502127
PHP27NQ11T
PHP27NQ11T,127-ND
PHP27NQ11T-ND
PHP27NQ11T127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LAT
仓库库存编号:
IPB04N03LAXTINCT-ND
别名:IPB04N03LAXTINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LA
仓库库存编号:
IPB04N03LAINCT-ND
别名:IPB04N03LAINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Ta) 107W(Tc) DPAK+
型号:
TK65S04N1L,LQ
仓库库存编号:
TK65S04N1LLQCT-ND
别名:TK65S04N1LLQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 107W(Tc) DPAK
型号:
PHD97NQ03LT,118
仓库库存编号:
PHD97NQ03LT,118-ND
别名:934061139118
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 10A(Tc) 107W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD10N30-330H_GE3
仓库库存编号:
SQD10N30-330H_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP60N06-15_GE3
仓库库存编号:
SQP60N06-15_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 107W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM40N10-30_GE3
仓库库存编号:
SQM40N10-30_GE3-ND
别名:SQM40N10-30-GE3
SQM40N10-30-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 107W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM25N15-52_GE3
仓库库存编号:
SQM25N15-52_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP25N15-52_GE3
仓库库存编号:
SQP25N15-52_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 56A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 107W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM60N06-15_GE3
仓库库存编号:
SQM60N06-15_GE3-ND
别名:SQM60N06-15-GE3
SQM60N06-15-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 107W(Tc),
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