产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.3W(Ta),5.7W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.3W(Ta),5.7W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5406CDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5406CDC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5406CDC-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.3W(Ta),5.7W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.3W(Ta),5.7W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5468DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5468DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5468DC-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.3W(Ta),5.7W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 2.3W(Ta),5.7W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5475DDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5475DDC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5475DDC-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2.3W(Ta),5.7W(Tc),
无铅
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