产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 39W(Tc) DPAK
型号:
NDD02N40T4G
仓库库存编号:
NDD02N40T4GOSCT-ND
别名:NDD02N40T4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 39W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8778
仓库库存编号:
FDD8778CT-ND
别名:FDD8778CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 39W(Tc) I-Pak
型号:
NDD02N40-1G
仓库库存编号:
NDD02N40-1GOS-ND
别名:NDD02N40-1G-ND
NDD02N40-1GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR418DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR418DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR418DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 39W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF11N50ZG
仓库库存编号:
NDF11N50ZGOS-ND
别名:NDF11N50ZG-ND
NDF11N50ZGOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF22N60NT
仓库库存编号:
FCPF22N60NT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 39W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPA075N15N3 G
仓库库存编号:
IPA075N15N3 G-ND
别名:IPA075N15N3G
IPA075N15N3GXKSA1
SP000607018
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 28A FULLPAK220
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 39W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF28N60EF-GE3
仓库库存编号:
SIHF28N60EF-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 8A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS460EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS460EN-T1_GE3CT-ND
别名:SQS460EN-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 32A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 39W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF35N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF35N60E-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 39W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA24N65EF-E3
仓库库存编号:
SIHA24N65EF-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.6A(Tc) 39W(Tc) I-Pak
型号:
FCU2250N80Z
仓库库存编号:
FCU2250N80Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 39W(Tc) D-Pak
型号:
FCD2250N80Z
仓库库存编号:
FCD2250N80ZCT-ND
别名:FCD2250N80ZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 39W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF190N60
仓库库存编号:
FCPF190N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.6A(Tc) 39W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF190N60E
仓库库存编号:
FCPF190N60E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 39W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF10N60ZH
仓库库存编号:
NDF10N60ZHOS-ND
别名:NDF10N60ZH-ND
NDF10N60ZHOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 39W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA045N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA045N10N3GXKSA1-ND
别名:IPA045N10N3 G
IPA045N10N3 G-ND
IPA045N10N3G
SP000478912
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 56.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 56.6A(Tc) 39W(Tc) TO-220 整包
型号:
SUA70060E-E3
仓库库存编号:
SUA70060E-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 39W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF18N50D-E3
仓库库存编号:
SIHF18N50D-E3-ND
别名:SIHF18N50DE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF12N60NZ
仓库库存编号:
FDPF12N60NZ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 39W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA057N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA057N08N3GXKSA1-ND
别名:IPA057N08N3 G
IPA057N08N3 G-ND
IPA057N08N3G
SP000454442
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 46A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7463ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7463ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7463ADP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 39W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA06N80C3
仓库库存编号:
SPA06N80C3IN-ND
别名:SP000216302
SPA06N80C3IN
SPA06N80C3X
SPA06N80C3XK
SPA06N80C3XKSA1
SPA06N80C3XTIN
SPA06N80C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 39W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF10N60ZG
仓库库存编号:
NDF10N60ZGOS-ND
别名:NDF10N60ZG-ND
NDF10N60ZGOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 39W(Tc) SOT-223
型号:
TSM1NB60CW RPG
仓库库存编号:
TSM1NB60CW RPGTR-ND
别名:TSM1NB60CW RPGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 39W(Tc),
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