产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK6012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK6012DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1317-E
仓库库存编号:
2SK1317-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 160V 7A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SJ162-E
仓库库存编号:
2SJ162-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 160V 7A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1058-E
仓库库存编号:
2SK1058-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 8A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK2221-E
仓库库存编号:
2SK2221-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1340-E
仓库库存编号:
2SK1340-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1341-E
仓库库存编号:
2SK1341-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1342-E
仓库库存编号:
2SK1342-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 40A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK2006DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK2006DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 17A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 17A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK4013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK4013DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 450V 14A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 450V 14A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK4512DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK4512DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 12A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK5012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK5012DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 14A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 14A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK5013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK5013DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK6013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK6013DPE-00#J3-ND
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MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 12A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJL5012DPE-00#J3
仓库库存编号:
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MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJL6012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJL6012DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJL6013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJL6013DPE-00#J3-ND
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MOSFET N-CH 100V LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
H7N1002LS-E
仓库库存编号:
H7N1002LS-E-ND
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MOSFET N-CH 100V LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
H7N1002LSTL-E
仓库库存编号:
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MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 85A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK0629DPE-00#J3
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产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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