产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S2L23ATMA3
仓库库存编号:
IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND
别名:IPD30N06S2L23ATMA3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4020PBF
仓库库存编号:
IRFB4020PBF-ND
别名:SP001564028
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068P03L3GATMA1
仓库库存编号:
IPD068P03L3GATMA1CT-ND
别名:IPD068P03L3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50N10S3L16AKSA1
仓库库存编号:
IPP50N10S3L16AKSA1-ND
别名:IPP50N10S3L-16
IPP50N10S3L-16-ND
IPP50N10S3L16
SP000407118
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A
详细描述:表面贴装 N 沟道 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD096N08N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 100W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S5L1R9ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S5L1R9ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S5L1R9ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 100W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S51R9ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S51R9ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S51R9ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50N10S3L16ATMA1
仓库库存编号:
IPB50N10S3L16ATMA1CT-ND
别名:IPB50N10S3L-16INCT
IPB50N10S3L-16INCT-ND
IPB50N10S3L16ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP083N10N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP083N10N5AKSA1-ND
别名:SP001226036
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP100N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP100N08N3GXKSA1-ND
别名:IPP100N08N3 G
IPP100N08N3 G-ND
IPP100N08N3G
SP000680856
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP16CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP16CN10NGXKSA1-ND
别名:IPP16CN10N G
IPP16CN10N G-ND
IPP16CN10NG
IPP16CN10NGIN
IPP16CN10NGIN-ND
IPP16CN10NGX
IPP16CN10NGXK
SP000680880
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 100W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4020TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4020TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4020TRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S2L10ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
别名:IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10-ND
SP000254465
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S223ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S223ATMA2-ND
别名:SP001061722
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80N04S3-06
仓库库存编号:
IPD80N04S306ATMA1CT-ND
别名:IPD80N04S3-06CT
IPD80N04S3-06CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N10S3L16ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N10S3L16ATMA1CT-ND
别名:IPD50N10S3L-16CT
IPD50N10S3L-16CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 100W(Tc) PG-TDSON-8-23
型号:
IPC80N04S403ATMA1
仓库库存编号:
IPC80N04S403ATMA1-ND
别名:SP001138828
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S3-06
仓库库存编号:
IPB80N04S306ATMA1CT-ND
别名:IPB80N04S3-06CT
IPB80N04S3-06CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 9.3A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
AUIRFR4292TRL
仓库库存编号:
AUIRFR4292TRLTR-ND
别名:AUIRFR4292TRLTR
SP001520520
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP16CN10NGHKSA1
仓库库存编号:
IPP16CN10NGHKSA1-ND
别名:SP000096469
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 9.3A(Tc) 100W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU4292
仓库库存编号:
AUIRFU4292-ND
别名:SP001519718
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50N10S3L16AKSA1
仓库库存编号:
IPI50N10S3L16AKSA1-ND
别名:IPI50N10S3L-16
IPI50N10S3L-16-ND
SP000407120
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
BUZ80A
仓库库存编号:
BUZ80AIN-ND
别名:BUZ80AIN
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-10
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10INCT-ND
别名:SPD30N03S2L10
SPD30N03S2L10INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L10T
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10T-ND
别名:SP000016254
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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