产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 462W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 90A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 90A(Tc) 462W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH90P10P
仓库库存编号:
IXTH90P10P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 462W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 48A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 48A(Tc) 462W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH48P20P
仓库库存编号:
IXTH48P20P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 462W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 90A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 90A(Tc) 462W(Tc) TO-268
型号:
IXTT90P10P
仓库库存编号:
IXTT90P10P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 462W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 48A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 48A(Tc) 462W(Tc) TO-268
型号:
IXTT48P20P
仓库库存编号:
IXTT48P20P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 462W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 210A TO-247-3
详细描述:通孔 N 沟道 462W(Tc) TO-247
型号:
FDH210N08
仓库库存编号:
FDH210N08-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 462W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 95A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC60SKM24T1G
仓库库存编号:
APTC60SKM24T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 462W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 21A(Tc) 462W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT21M100J
仓库库存编号:
APT21M100J-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 462W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 95A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC60DAM24T1G
仓库库存编号:
APTC60DAM24T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 462W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90SKM60T1G
仓库库存编号:
APTC90SKM60T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 462W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90DAM60T1G
仓库库存编号:
APTC90DAM60T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 462W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 95A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC60SKM24CT1G
仓库库存编号:
APTC60SKM24CT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 462W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90DAM60CT1G
仓库库存编号:
APTC90DAM60CT1G-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90SKM60CT1G
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