产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 312W(Tc) D2PAK
型号:
STB120NF10T4
仓库库存编号:
497-2452-1-ND
别名:497-2452-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 312W(Tc) TO-247-3
型号:
STW120NF10
仓库库存编号:
497-5166-5-ND
别名:497-5166-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA38N30
仓库库存编号:
FDA38N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 108A(Tc) 312W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR170P10P
仓库库存编号:
IXTR170P10P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 36A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 312W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP36N60N
仓库库存编号:
FCP36N60N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 312W(Tc) TO-220-3
型号:
STP190N55LF3
仓库库存编号:
497-8810-5-ND
别名:497-8810-5
STP190N55LF3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 312W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FCB070N65S3
仓库库存编号:
FCB070N65S3CT-ND
别名:FCB070N65S3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 44A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 312W(Tc) TO-247 长引线
型号:
FCH067N65S3_F155
仓库库存编号:
FCH067N65S3_F155-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 34.9A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA36N60NF
仓库库存编号:
FCA36N60NF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M020A050N
仓库库存编号:
1560-1191-5-ND
别名:1560-1191-1
1560-1191-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 312W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FCB36N60NTM
仓库库存编号:
FCB36N60NTMCT-ND
别名:FCB36N60NTMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 312W(Tc) TO-220AB
型号:
STP120NF10
仓库库存编号:
497-4118-5-ND
别名:497-4118-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 312W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHG22N50D-GE3-ND
别名:SIHG22N50DGE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 53A(Tc) 312W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR90P20P
仓库库存编号:
IXTR90P20P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 312W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N50D-E3
仓库库存编号:
SIHG22N50D-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 44A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 312W(Tc) TO-220
型号:
FCP067N65S3
仓库库存编号:
FCP067N65S3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 500V 22A(Tc) 312W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR40P50P
仓库库存编号:
IXTR40P50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 312W(Tc) TO-247-3
型号:
STW30NM60D
仓库库存编号:
497-4426-5-ND
别名:497-4426-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M010A080N
仓库库存编号:
GP1M010A080N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M009A090NG
仓库库存编号:
GP2M009A090NG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M020A050N
仓库库存编号:
GP2M020A050N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9.5A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M009A090N
仓库库存编号:
1560-1174-5-ND
别名:1560-1174-1
1560-1174-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M016A060N
仓库库存编号:
1560-1188-5-ND
别名:1560-1188-1
1560-1188-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 312W(Tc),
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