产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 167W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD034N06N3 G
仓库库存编号:
IPD034N06N3 GINCT-ND
别名:IPD034N06N3 GINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB034N06L3 G
仓库库存编号:
IPB034N06L3 GCT-ND
别名:IPB034N06L3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S4H1ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N04S4H1ATMA1CT-ND
别名:IPB160N04S4H1ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP037N06L3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP037N06L3GXKSA1-ND
别名:IPP037N06L3 G
IPP037N06L3 G-ND
IPP037N06L3G
SP000680774
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP023N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP023N04NGXKSA1-ND
别名:IPP023N04N G
IPP023N04N G-ND
IPP023N04NGBKSA1
SP000680762
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB020N04N G
仓库库存编号:
IPB020N04N GCT-ND
别名:IPB020N04N GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB031N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB031N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPB031N08N5ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 167W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N06L3 G
仓库库存编号:
IPD031N06L3 GCT-ND
别名:IPD031N06L3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S4LH1ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N04S4LH1ATMA1-ND
别名:SP000979640
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2L05AKSA1
仓库库存编号:
SPP80N03S2L05AKSA1-ND
别名:SP000013466
SPP80N03S2L-05
SPP80N03S2L-05IN
SPP80N03S2L-05IN-ND
SPP80N03S2L05X
SPP80N03S2L05X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S403ATMA2
仓库库存编号:
IPB120N06S403ATMA2-ND
别名:SP001028770
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 165A(Tc) 167W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IAUT165N08S5N029ATMA2
仓库库存编号:
IAUT165N08S5N029ATMA2-ND
别名:SP001585162
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP034N08N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP034N08N5AKSA1-ND
别名:SP001227046
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 29A(Tc) 167W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R080G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R080G7XTMA1-ND
别名:SP001615904
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 104A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1104
仓库库存编号:
IRL1104-ND
别名:*IRL1104
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-05
仓库库存编号:
SPB80N03S2L05INTR-ND
别名:SPB80N03S2L05INTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 104A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1104PBF
仓库库存编号:
IRL1104PBF-ND
别名:*IRL1104PBF
SP001552524
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L05T
仓库库存编号:
SPB80N03S2L05T-ND
别名:SP000016255
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 95A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP08CN10N G
仓库库存编号:
IPP08CN10NGIN-ND
别名:IPP08CN10N G-ND
IPP08CN10NGIN
IPP08CN10NGX
IPP08CN10NGXK
SP000096465
SP000680844
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 95A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP08CNE8N G
仓库库存编号:
IPP08CNE8N G-ND
别名:IPP08CNE8NGX
IPP08CNE8NGXK
SP000096466
SP000680846
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-05 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-05 G-ND
别名:SP000200144
SPB80N03S2L05GXT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2L-05
仓库库存编号:
SPI80N03S2L-05-ND
别名:SP000016266
SPI80N03S2L05X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB08CN10N G
仓库库存编号:
IPB08CN10N G-ND
别名:SP000096448
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB08CNE8N G
仓库库存编号:
IPB08CNE8N G-ND
别名:SP000096449
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI037N06L3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI037N06L3GHKSA1-ND
别名:IPI037N06L3 G
IPI037N06L3 G-ND
SP000397910
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
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