产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 74W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies (9)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R450E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R450E6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R450E6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 74W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 74W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC360N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC360N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC360N15NS3 GCT
BSC360N15NS3 GCT-ND
BSC360N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 74W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R450E6
仓库库存编号:
IPP60R450E6-ND
别名:IPP60R450E6XKSA1
SP000842486
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 74W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R450E6
仓库库存编号:
IPD60R450E6CT-ND
别名:IPD60R450E6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 74W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD06N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD06N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD06N60C3INCT
SPD06N60C3INCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 74W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.1A(Tc) 74W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R460CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R460CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R460CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 74W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 135A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 135A(Tc) 74W(Tc) DirectFET? 等容 MF
型号:
IRF7483MTRPBF
仓库库存编号:
IRF7483MTRPBFCT-ND
别名:IRF7483MTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 74W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD06N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD06N60C3ATMA1-ND
别名:SP001117770
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 74W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP06N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP06N60C3HKSA1-ND
别名:SP000014697
SPP06N60C3
SPP06N60C3-ND
SPP06N60C3IN
SPP06N60C3IN-ND
SPP06N60C3X
SPP06N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 74W(Tc),
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