产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT40N50L2
仓库库存编号:
IXTT40N50L2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
无铅
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IXYS
250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述:表面贴装 N 沟道 150A(Tc) 780W(Tc) TO-268HV
型号:
IXFT150N25X3HV
仓库库存编号:
IXFT150N25X3HV-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ40N50L2
仓库库存编号:
IXTQ40N50L2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
无铅
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IXYS
250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 780W(Tc) TO-247
型号:
IXFH150N25X3
仓库库存编号:
IXFH150N25X3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 40A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH40N50L2
仓库库存编号:
IXTH40N50L2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 43A(Tc) 780W(Tc) SP4
型号:
APTM100DA18TG
仓库库存编号:
APTM100DA18TG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 43A(Tc) 780W(Tc) SP4
型号:
APTM100SK18TG
仓库库存编号:
APTM100SK18TG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S404ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S404ATMA2-ND
别名:SP001028762
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD100N06S403ATMA2
仓库库存编号:
IPD100N06S403ATMA2-ND
别名:SP001028766
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB90N06S404ATMA2
仓库库存编号:
IPB90N06S404ATMA2-ND
别名:SP001028754
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90N06S404AKSA1
仓库库存编号:
IPI90N06S404AKSA1-ND
别名:IPI90N06S4-04
IPI90N06S4-04-ND
SP000379633
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB90N06S404ATMA1
仓库库存编号:
IPB90N06S404ATMA1TR-ND
别名:IPB90N06S4-04
IPB90N06S4-04-ND
SP000379632
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N06S404ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N06S404ATMA1TR-ND
别名:IPD90N06S4-04
IPD90N06S4-04-ND
SP000374323
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90N06S404AKSA1
仓库库存编号:
IPP90N06S404AKSA1-ND
别名:IPP90N06S4-04
IPP90N06S4-04-ND
SP000379634
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD100N06S403ATMA1
仓库库存编号:
IPD100N06S403ATMA1TR-ND
别名:IPD100N06S4-03
IPD100N06S4-03-ND
SP000415576
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A PG-TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90N06S404AKSA2
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IPP90N06S404AKSA2-ND
别名:SP001028750
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10400pF @ 25V,
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