产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述:N 沟道 500mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP298H6327XUSA1
仓库库存编号:
BSP298H6327XUSA1CT-ND
别名:BSP298H6327XUSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL024NTRPBF
仓库库存编号:
IRFL024NTRPBFCT-ND
别名:IRFL024NTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.2A(Tc) 29.7W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA03N60C3
仓库库存编号:
SPA03N60C3IN-ND
别名:SP000216296
SPA03N60C3IN
SPA03N60C3XK
SPA03N60C3XKSA1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N60C3
仓库库存编号:
SPD03N60C3INCT-ND
别名:SPD03N60C3INCT
SPD03N60C3XTINCT
SPD03N60C3XTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299H6327XUSA1
仓库库存编号:
BSP299H6327XUSA1CT-ND
别名:BSP299H6327XUSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRFL024NTR
仓库库存编号:
AUIRFL024NTR-ND
别名:SP001519268
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N60C3ATMA1-ND
别名:SP001117760
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPS03N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPS03N60C3BKMA1-ND
别名:SP000235877
SP000307418
SPS03N60C3
SPS03N60C3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU03N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPU03N60C3BKMA1-ND
别名:SP000095849
SPU03N60C3
SPU03N60C3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL024N
仓库库存编号:
IRFL024N-ND
别名:*IRFL024N
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL024NTR
仓库库存编号:
IRFL024NTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP03N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP03N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013524
SPP03N60C3
SPP03N60C3IN
SPP03N60C3IN-ND
SPP03N60C3X
SPP03N60C3X-ND
SPP03N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB03N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPB03N60C3ATMA1CT-ND
别名:SPB03N60C3INCT
SPB03N60C3INCT-ND
SPB03N60C3XTINCT
SPB03N60C3XTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.5A(Tc) 50W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD11N10
仓库库存编号:
SPD11N10INTR-ND
别名:SP000013847
SPD11N10INTR
SPD11N10XT
SPD11N10XT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 500mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP298 E6327
仓库库存编号:
BSP298 E6327-ND
别名:BSP298E6327T
SP000011109
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 500mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP298L6327HUSA1
仓库库存编号:
BSP298L6327HUSA1TR-ND
别名:BSP298 L6327
BSP298 L6327-ND
BSP298L6327XT
SP000088258
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299 E6327
仓库库存编号:
BSP299 E6327-ND
别名:BSP299E6327T
SP000011110
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 30W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD14N06S2-80
仓库库存编号:
SPD14N06S2-80-ND
别名:SP000013575
SPD14N06S280T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 700mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN03N60C3
仓库库存编号:
SPN03N60C3-ND
别名:SP000014455
SP000101879
SPN03N60C3T
SPN03N60C3XT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10.5A(Tc) 50W(Tc) P-TO251-3
型号:
SPU11N10
仓库库存编号:
SPU11N10-ND
别名:SP000013848
SPU11N10X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299L6327HUSA1
仓库库存编号:
BSP299L6327HUSA1CT-ND
别名:BSP299 L6327CT
BSP299 L6327CT-ND
BSP299L6327
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRFL024N
仓库库存编号:
AUIRFL024N-ND
别名:SP001515986
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V,
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