产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2040pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6020ANX
仓库库存编号:
R6020ANX-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2040pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6020FNX
仓库库存编号:
R6020FNX-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2040pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 105W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y08-40B,115
仓库库存编号:
1727-4601-1-ND
别名:1727-4601-1
568-5511-1
568-5511-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2040pF @ 25V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
R6020ANZC8
仓库库存编号:
R6020ANZC8-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2040pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB42AN15A0_F085
仓库库存编号:
FDB42AN15A0_F085CT-ND
别名:FDB42AN15A0_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2040pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 347W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP36N30P3
仓库库存编号:
IXFP36N30P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2040pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 347W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA36N30P3
仓库库存编号:
IXFA36N30P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2040pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF10N60C
仓库库存编号:
FQPF10N60C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2040pF @ 25V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R6020ANJTL
仓库库存编号:
R6020ANJTL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2040pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 250V 23A(Tc) 220W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP254NPBF
仓库库存编号:
IRFP254NPBF-ND
别名:*IRFP254NPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2040pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.5A(Tc) 3.13W(Ta),156W(Tc) I2PAK
型号:
FQI10N60CTU
仓库库存编号:
FQI10N60CTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2040pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.5A(Tc) 156W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP10N60C
仓库库存编号:
FQP10N60C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2040pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220F-3
型号:
FQPF10N60CYDTU
仓库库存编号:
FQPF10N60CYDTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2040pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.5A(Tc) 3.13W(Ta),156W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB10N60CTM
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FQB10N60CTM-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 192W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA10N60C
仓库库存编号:
FQA10N60C-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF10N60CF
仓库库存编号:
FQPF10N60CF-ND
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 85W(Tc) TO-3P(N)IS
型号:
2SK2847(F)
仓库库存编号:
2SK2847(F)-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF10N60CT
仓库库存编号:
FQPF10N60CT-ND
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 105W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y08-40B/C,115
仓库库存编号:
BUK7Y08-40B/C,115-ND
别名:934064767115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2040pF @ 25V,
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