产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 15.9A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 48A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 29W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R060P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R060P7XKSA1-ND
别名:SP001658404
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 15.9A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 164W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R060P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R060P7XKSA1-ND
别名:SP001658410
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 15.9A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 164W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R060P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R060P7XKSA1-ND
别名:SP001647042
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 15.9A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 35A(Tc) 162W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R060C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R060C7ATMA1-ND
别名:SP001385008
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 15.9A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R060C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R060C7XKSA1-ND
别名:SP001385002
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 15.9A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) 162W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R060C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R060C7XKSA1-ND
别名:SP001385014
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 15.9A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) 162W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R060C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R060C7XKSA1-ND
别名:SP001385020
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 15.9A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) 162W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R060C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R060C7XKSA1-ND
别名:SP001385028
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 15.9A,10V,
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