产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Ta),46A(Tc) 3.1W(Ta),8.3W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5053TRPBF
仓库库存编号:
IRFH5053TRPBFCT-ND
别名:IRFH5053TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ018NE2LSI
仓库库存编号:
BSZ018NE2LSICT-ND
别名:BSZ018NE2LSICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R250CP
仓库库存编号:
IPW50R250CP-ND
别名:IPW50R250CPFKSA1
SP000301162
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 101W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP80R280P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R280P7XKSA1-ND
别名:SP001422724
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3F
型号:
IPA80R280P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R280P7XKSA1-ND
别名:SP001422552
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC018NE2LSI
仓库库存编号:
BSC018NE2LSICT-ND
别名:BSC018NE2LSICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 101W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R280P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R280P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R280P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP093N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP093N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP093N06N3 G
IPP093N06N3 G-ND
IPP093N06N3G
SP000680852
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R250CP
仓库库存编号:
IPA50R250CP-ND
别名:IPA50R250CPXKSA1
SP000236080
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB090N06N3 G
仓库库存编号:
IPB090N06N3 GCT-ND
别名:IPB090N06N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R250CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI50R250CPXKSA1-ND
别名:IPI50R250CP
IPI50R250CP-ND
SP000523750
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R120P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R120P7XKSA1-ND
别名:SP001658376
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 95W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R120P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R120P7XKSA1-ND
别名:SP001647028
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAN80R280P7XKSA1
仓库库存编号:
IPAN80R280P7XKSA1-ND
别名:SP001632934
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 95W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R120P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R120P7XKSA1-ND
别名:SP001658382
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 13A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50R250CPATMA1
仓库库存编号:
IPB50R250CPATMA1TR-ND
别名:IPB50R250CP
IPB50R250CP-ND
SP000236093
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 13.4A(Ta),67A(Tc) 3.6W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MZ
型号:
IRF6674TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6674TR1PBFCT-ND
别名:IRF6674TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 4.9A(Ta),28A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MZ
型号:
IRF6775MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6775MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6775MTR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.4A(Ta),19A(Tc) 2.8W(Ta),57W(Tc) DIRECTFET? MZ
型号:
IRF6785MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6785MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6785MTR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R250CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R250CPHKSA1-ND
别名:IPP50R250CP
IPP50R250CP-ND
SP000236071
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB075N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB075N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB075N04L GCT
IPB075N04L GCT-ND
IPB075N04LG
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