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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709SPBF
  仓库库存编号：IRF3709SPBF-ND
  别名：*IRF3709SPBF
  SP001571378
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3709PBF
  仓库库存编号：IRF3709PBF-ND
  别名：*IRF3709PBF
  SP001570060
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD03N03LA G
  仓库库存编号：IPD03N03LAGINCT-ND
  别名：IPD03N03LAG
  IPD03N03LAGINCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 84A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3802TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3802TRPBFCT-ND
  别名：IRLR3802TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3709STRLPBF-ND
  别名：SP001559576
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709S
  仓库库存编号：IRF3709S-ND
  别名：*IRF3709S
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3709L
  仓库库存编号：IRF3709L-ND
  别名：*IRF3709L
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3709
  仓库库存编号：IRF3709-ND
  别名：*IRF3709
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRL
  仓库库存编号：IRF3709STRL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRR
  仓库库存编号：IRF3709STRR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD04N03LA G
  仓库库存编号：IPD04N03LAGINCT-ND
  别名：IPD04N03LAGINCT
  IPD04N03LAINCT
  IPD04N03LAINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12V 84A（Tc） 88W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU3802PBF
  仓库库存编号：IRLU3802PBF-ND
  别名：*IRLU3802PBF
  SP001559000
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3709LPBF
  仓库库存编号：IRF3709LPBF-ND
  别名：*IRF3709LPBF
  SP001561748
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：IPF04N03LA
  仓库库存编号：IPF04N03LA-ND
  别名：IPF04N03LAT
  SP000014622
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：IPF04N03LA G
  仓库库存编号：IPF04N03LA G-ND
  别名：IPF04N03LAGXT
  SP000017605
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS03N03LA G
  仓库库存编号：IPS03N03LA G-ND
  别名：IPS03N03LAGX
  SP000016404
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS04N03LA G
  仓库库存编号：IPS04N03LA G-ND
  别名：IPS04N03LAGX
  SP000016330
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：IPU04N03LA
  仓库库存编号：IPU04N03LA-ND
  别名：SP000014621
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU04N03LA G
  仓库库存编号：IPU04N03LA G-ND
  别名：IPU04N03LAGX
  SP000017593
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 24A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC029N025S G
  仓库库存编号：BSC029N025SGINCT-ND
  别名：BSC029N025SG
  BSC029N025SGINCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRRPBF
  仓库库存编号：IRF3709STRRPBF-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 41nC @ 5V,
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