产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRL6342TRPBF
仓库库存编号:
IRL6342TRPBFCT-ND
别名:IRL6342TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
IRLTS6342TRPBF
仓库库存编号:
IRLTS6342TRPBFCT-ND
别名:IRLTS6342TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807ZTRPBF
仓库库存编号:
IRF7807ZPBFCT-ND
别名:*IRF7807ZTRPBF
IRF7807ZPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7807ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR7807ZPBFCT-ND
别名:*IRLR7807ZTRPBF
IRLR7807ZPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 49A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715Z
仓库库存编号:
IRLR3715Z-ND
别名:*IRLR3715Z
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 49A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715ZTR
仓库库存编号:
IRLR3715ZTR-ND
别名:SP001558456
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 49A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715ZTRL
仓库库存编号:
IRLR3715ZTRL-ND
别名:SP001558946
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 49A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715ZTRR
仓库库存编号:
IRLR3715ZTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807ZTR
仓库库存编号:
IRF7807ZTR-ND
别名:SP001572296
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807Z
仓库库存编号:
IRF7807Z-ND
别名:*IRF7807Z
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 43A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7807ZTR
仓库库存编号:
IRLR7807ZTR-ND
别名:SP001558476
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715ZS
仓库库存编号:
IRL3715ZS-ND
别名:*IRL3715ZS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715ZCS
仓库库存编号:
IRL3715ZCS-ND
别名:*IRL3715ZCS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3715Z
仓库库存编号:
IRL3715Z-ND
别名:*IRL3715Z
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) TO-262
型号:
IRL3715ZL
仓库库存编号:
IRL3715ZL-ND
别名:*IRL3715ZL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715ZSTRL
仓库库存编号:
IRL3715ZSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715ZSTRR
仓库库存编号:
IRL3715ZSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 43A(Tc) 40W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU7807ZPBF
仓库库存编号:
IRLU7807ZPBF-ND
别名:*IRLU7807ZPBF
SP001568878
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 49A(Tc) 40W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3715ZPBF
仓库库存编号:
IRLU3715ZPBF-ND
别名:*IRLU3715ZPBF
SP001573148
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) TO-262
型号:
IRL3715ZCLPBF
仓库库存编号:
IRL3715ZCLPBF-ND
别名:*IRL3715ZCLPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715ZSPBF
仓库库存编号:
IRL3715ZSPBF-ND
别名:SP001550328
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) TO-262
型号:
IRL3715ZLPBF
仓库库存编号:
IRL3715ZLPBF-ND
别名:*IRL3715ZLPBF
SP001558032
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3715ZPBF
仓库库存编号:
IRL3715ZPBF-ND
别名:*IRL3715ZPBF
SP001552574
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715ZCSPBF
仓库库存编号:
IRL3715ZCSPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 49A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR3715ZPBFCT-ND
别名:*IRLR3715ZTRPBF
IRLR3715ZPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,
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