产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7493TRPBF
仓库库存编号:
IRF7493PBFCT-ND
别名:*IRF7493TRPBF
IRF7493PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 250W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18532KCS
仓库库存编号:
296-34941-5-ND
别名:296-34941-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP9NK60Z
仓库库存编号:
497-12620-5-ND
别名:497-12620-5
STP9NK60Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS454DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS454DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS454DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 5X6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),65A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6448
仓库库存编号:
785-1228-1-ND
别名:785-1228-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 48A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),48A(Tc) 2.3W(Ta),54W(Tc) Power33
型号:
FDMC86340
仓库库存编号:
FDMC86340CT-ND
别名:FDMC86340CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 68W(Ta) TO-252
型号:
FDD3680
仓库库存编号:
FDD3680CT-ND
别名:FDD3680CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 203W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7607-55B,118
仓库库存编号:
1727-4701-1-ND
别名:1727-4701-1
568-5849-1
568-5849-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.4A(Ta),90A(Tc) 156W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC105N10LSFGATMA1
仓库库存编号:
BSC105N10LSFGATMA1CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 139W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N20C
仓库库存编号:
FQP19N20C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP9NK60ZFP
仓库库存编号:
497-5983-5-ND
别名:497-5983-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF19N20C
仓库库存编号:
FQPF19N20C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 3.13W(Ta),139W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB19N20CTM
仓库库存编号:
FQB19N20CTMCT-ND
别名:FQB19N20CTMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP052N08N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP052N08N5AKSA1-ND
别名:SP001227050
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),61A(Tc) 150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3652
仓库库存编号:
FDB3652CT-ND
别名:FDB3652CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 5.4W(Ta),96W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7738DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7738DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7738DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.1W(Ta),195W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD18540Q5BT
仓库库存编号:
296-37963-1-ND
别名:296-37963-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
SQ4410EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4410EY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ4410EY-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB9NK60ZT4
仓库库存编号:
497-12544-2-ND
别名:497-12544-2
STB9NK60ZT4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 192W(Tc) D2PAK
型号:
STB20NM50FDT4
仓库库存编号:
497-6191-2-ND
别名:497-6191-2
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 48W(Tc) TO-220
型号:
TSM10N80CZ C0G
仓库库存编号:
TSM10N80CZ C0G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 48W(Tc) ITO-220
型号:
TSM10N80CI C0G
仓库库存编号:
TSM10N80CI C0G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 192W(Tc) TO-220AB
型号:
STP20NM50FD
仓库库存编号:
497-6739-5-ND
别名:497-6739-5
STP20NM50FD-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 214W(Tc) TO-247-3
型号:
STW20NM50FD
仓库库存编号:
497-2717-5-ND
别名:497-2717-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 540W(Tc) TO-247
型号:
IXTH34N65X2
仓库库存编号:
IXTH34N65X2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53nC @ 10V,
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