产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 156nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Toshiba Semiconductor and Storage (1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 220W(Tc) ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXTL2N450
仓库库存编号:
IXTL2N450-ND
别名: 627941
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 156nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 375W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19506KCS
仓库库存编号:
296-37169-5-ND
别名:296-37169-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 156nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Ta),40A(Tc) 2.3W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP26M7UFG-7
仓库库存编号:
DMP26M7UFG-7DICT-ND
别名:DMP26M7UFG-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 156nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 375W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT020N10N3ATMA1
仓库库存编号:
IPT020N10N3ATMA1CT-ND
别名:IPT020N10N3ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 156nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN009-100B,118
仓库库存编号:
1727-5268-1-ND
别名:1727-5268-1
568-6593-1
568-6593-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 156nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 60A(Ta) 100W(Tc) DPAK+
型号:
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TJ60S06M3L(T6L1NQ-ND
别名:TJ60S06M3L(T6L1NQ
TJ60S06M3LT6L1NQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 156nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN009-100P,127
仓库库存编号:
1727-4653-ND
别名:1727-4653
568-5770
568-5770-5
568-5770-5-ND
568-5770-ND
934057044127
PSMN009-100P
PSMN009-100P,127-ND
PSMN009-100P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 156nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19506KTT
仓库库存编号:
CSD19506KTT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 156nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
IC MOSFET N-CH 80V TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19506KTTT
仓库库存编号:
CSD19506KTTT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 156nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 44A(Tc) 500W(Tc) TO-264(IXFK)
型号:
IXFK44N50F
仓库库存编号:
IXFK44N50F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 156nC @ 10V,
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