产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 26.6A(Tc) 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4477DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4477DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4477DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
别名:SQM120N10-3M8_GE3TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-3M8_GE3CT-ND
别名:SQM120N10-3M8_GE3-ND
SQM120N10-3M8_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP064PBF
仓库库存编号:
IRFP064PBF-ND
别名:*IRFP064PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 6.1A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG50PBF
仓库库存编号:
IRFPG50PBF-ND
别名:*IRFPG50PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 460W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP32N50KPBF
仓库库存编号:
IRFP32N50KPBF-ND
别名:*IRFP32N50KPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7461DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7461DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7461DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7461DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7461DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7461DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 P 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP70101EL-GE3
仓库库存编号:
SUP70101EL-GE3CT-ND
别名:SUP70101EL-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 P 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70101EL-GE3
仓库库存编号:
SUM70101EL-GE3CT-ND
别名:SUM70101EL-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-262-3
型号:
SQV120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQV120N10-3M8_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 P 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120P10_10M1LGE3
仓库库存编号:
SQM120P10_10M1LGE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQP120N10-3M8_GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 6.1A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG50
仓库库存编号:
IRFPG50-ND
别名:*IRFPG50
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 60V 70A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP064
仓库库存编号:
IRFP064-ND
别名:*IRFP064
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
含铅
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MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 32A(Tc) 460W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP32N50K
仓库库存编号:
IRFP32N50K-ND
别名:*IRFP32N50K
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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