产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.57W(Ta),26.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA14DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA14DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA14DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 6.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9630PBF
仓库库存编号:
IRF9630PBF-ND
别名:*IRF9630PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.5A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9630SPBF
仓库库存编号:
IRF9630SPBF-ND
别名:IRF9630SPBFCT
IRF9630SPBFCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 3.6W(Ta),31.2W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA14DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA14DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA14DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.5W(Ta),6.3W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5440DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5440DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5440DC-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 4.3A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9630GPBF
仓库库存编号:
IRFI9630GPBF-ND
别名:*IRFI9630GPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA421DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA421DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA421DJ-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.5A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9630STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9630STRLPBFCT-ND
别名:IRF9630STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS890DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS890DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS890DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 7A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD07N25-350H_GE3
仓库库存编号:
SQD07N25-350H_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9630
仓库库存编号:
IRF9630-ND
别名:*IRF9630
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9630S
仓库库存编号:
IRF9630S-ND
别名:*IRF9630S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 4.3A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9630G
仓库库存编号:
IRFI9630G-ND
别名:*IRFI9630G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.5A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9630L
仓库库存编号:
IRF9630L-ND
别名:*IRF9630L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9630STRL
仓库库存编号:
IRF9630STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9630STRR
仓库库存编号:
IRF9630STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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