产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3806TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3806TRPBFCT-ND
别名:IRFR3806TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3806TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3806TRLPBFCT-ND
别名:IRFS3806TRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),45W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ058N03LS G
仓库库存编号:
BSZ058N03LSGINCT-ND
别名:BSZ058N03LSGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3806PBF
仓库库存编号:
IRFB3806PBF-ND
别名:SP001572380
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3806PBF
仓库库存编号:
IRFSL3806PBF-ND
别名:SP001571672
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7606TR
仓库库存编号:
IRF7606CT-ND
别名:*IRF7606TR
IRF7606
IRF7606CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7606TRPBF
仓库库存编号:
IRF7606TRPBFCT-ND
别名:IRF7606TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Ta),39.5A(Tc) 2.1W(Ta),40W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ180P03NS3EGATMA1
仓库库存编号:
BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND
别名:BSZ180P03NS3EGATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),71A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC057N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC057N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC057N03LSGINCT
BSC057N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.44A(Ta) 2.5W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO613SPV G
仓库库存编号:
BSO613SPV GCT-ND
别名:BSO613SPV GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC13DN30NSFDATMA1
仓库库存编号:
BSC13DN30NSFDATMA1CT-ND
别名:BSC13DN30NSFDATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC350N20NSFDATMA1
仓库库存编号:
BSC350N20NSFDATMA1CT-ND
别名:BSC350N20NSFDATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC670N25NSFDATMA1
仓库库存编号:
BSC670N25NSFDATMA1CT-ND
别名:BSC670N25NSFDATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 46W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50N04S4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S4L08ATMA1CT-ND
别名:IPD50N04S4L08ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 84W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R360P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R360P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R360P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R360P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R360P7XKSA1-ND
别名:SP001633514
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 84W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP80R360P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R360P7XKSA1-ND
别名:SP001633518
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 84W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW80R360P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW80R360P7XKSA1-ND
别名:SP001633520
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9A(Ta),39.6A(Tc) 2.1W(Ta),40W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ180P03NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND
别名:BSZ180P03NS3 G
BSZ180P03NS3 G-ND
SP000709744
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD060N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD060N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236948
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 50W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC70N04S5L4R2ATMA1
仓库库存编号:
IPC70N04S5L4R2ATMA1-ND
别名:SP001418126
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 50A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50N08S413ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N08S413ATMA1-ND
别名:SP000988948
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 27A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 27A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ017NE2LS5IATMA1
仓库库存编号:
BSZ017NE2LS5IATMA1-ND
别名:SP001288152
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 33A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC015NE2LS5IATMA1
仓库库存编号:
BSC015NE2LS5IATMA1-ND
别名:SP001288138
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 43A(Tc) 71W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR3806TRL
仓库库存编号:
AUIRFR3806TRL-ND
别名:SP001521230
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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