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  • Infineon Technologies - BSC0904NSI - MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON

    详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),78A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) PG-TDSON-8

    型号:BSC0904NSI
    仓库库存编号:BSC0904NSICT-ND
    别名:BSC0904NSICT

    产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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  • Infineon Technologies - SPA03N60C3 - MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220

    详细描述:通孔 N 沟道 3.2A(Tc) 29.7W(Tc) PG-TO220-FP

    型号:SPA03N60C3
    仓库库存编号:SPA03N60C3IN-ND
    别名:SP000216296
    SPA03N60C3IN
    SPA03N60C3XK
    SPA03N60C3XKSA1

    产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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  • Infineon Technologies - SPD03N60C3 - MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK

    详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3

    型号:SPD03N60C3
    仓库库存编号:SPD03N60C3INCT-ND
    别名:SPD03N60C3INCT
    SPD03N60C3XTINCT
    SPD03N60C3XTINCT-ND

    产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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  • Infineon Technologies - BSZ0904NSI - MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON

    详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta),18A(Tc) 2.1W(Ta),37W(Tc) PG-TSDSON-8-FL

    型号:BSZ0904NSI
    仓库库存编号:BSZ0904NSICT-ND
    别名:BSZ0904NSICT

    产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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