产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.6W（Ta） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM9391TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM9391TRPBFCT-ND
别名：IRFHM9391TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），37W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ036NE2LS
仓库库存编号：
BSZ036NE2LSCT-ND
别名：BSZ036NE2LSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP02N80C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP02N80C3XKSA1-ND
别名：SP000683150
SPP02N80C3
SPP02N80C3IN
SPP02N80C3IN-ND
SPP02N80C3X
SPP02N80C3XK
SPP02N80C3XTIN
SPP02N80C3XTIN-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 30.5W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA02N80C3
仓库库存编号：
SPA02N80C3IN-ND
别名：SP000216295
SPA02N80C3IN
SPA02N80C3XK
SPA02N80C3XKSA1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04P10PLGBTMA1
仓库库存编号：
SPD04P10PLGBTMA1CT-ND
别名：SPD04P10PL GCT
SPD04P10PL GCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD02N80C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD02N80C3ATMA1CT-ND
别名：SPD02N80C3ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），82A（Tc） 2.5W（Ta），29W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC026NE2LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND
别名：BSC026NE2LS5ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 22A（Ta），84A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC032NE2LSATMA1
仓库库存编号：
BSC032NE2LSATMA1CT-ND
别名：BSC032NE2LSCT
BSC032NE2LSCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU03N60S5BKMA1
仓库库存编号：
SPU03N60S5BKMA1-ND
别名：SP000012423
SPU03N60S5
SPU03N60S5-ND
SPU03N60S5IN
SPU03N60S5IN-ND
SPU03N60S5X
SPU03N60S5XK
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP03N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPP03N60S5HKSA1-ND
别名：SPP03N60S5
SPP03N60S5IN
SPP03N60S5IN-ND
SPP03N60S5X
SPP03N60S5XTIN
SPP03N60S5XTIN-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP50CN10NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP50CN10NGXKSA1-ND
别名：IPP50CN10N G
IPP50CN10N G-ND
IPP50CN10NGHKSA1
IPP50CN10NGIN
IPP50CN10NGIN-ND
IPP50CN10NGX
IPP50CN10NGXK
SP000096474
SP000680930
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB03N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB03N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB03N60S5INCT
SPB03N60S5INCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD02N80C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD02N80C3BTMA1CT-ND
别名：SPD02N80C3INCT
SPD02N80C3INCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD03N60S5BTMA1
仓库库存编号：
SPD03N60S5BTMA1CT-ND
别名：SPD03N60S5INCT
SPD03N60S5INCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPB50CN10NGATMA1TR-ND
别名：IPB50CN10N G
IPB50CN10N G-ND
SP000277696
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD49CN10N G
仓库库存编号：
IPD49CN10N G-ND
别名：SP000096459
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI50CN10NGHKSA1
仓库库存编号：
IPI50CN10NGHKSA1-ND
别名：IPI50CN10N G
IPI50CN10N G-ND
SP000208937
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） PQFN（3x3）
型号：
IRFHM831TR2PBF
仓库库存编号：
IRFHM831TR2PBFCT-ND
别名：IRFHM831TR2PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），45A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC889N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC889N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC889N03LS GCT
BSC889N03LS GCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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