产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5203TRPBF
仓库库存编号:
IRLML5203TRPBFCT-ND
别名:IRLML5203TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL014NTRPBF
仓库库存编号:
IRLL014NPBFCT-ND
别名:*IRLL014NTRPBF
IRLL014NPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5203GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML5203GTRPBFCT-ND
别名:IRLML5203GTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL024ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFL024ZTRPBFCT-ND
别名:IRFL024ZTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP170PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP170PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP170PH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S4L14ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S4L14ATMA1CT-ND
别名:IPD30N03S4L-14CT
IPD30N03S4L-14CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9335TRPBF
仓库库存编号:
IRF9335TRPBFCT-ND
别名:IRF9335TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL014NTR
仓库库存编号:
AUIRLL014NTRCT-ND
别名:AUIRLL014NTRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.3A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL305SPEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL305SPEH6327XTSA1-ND
别名:SP000953150
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB22N03S4L15ATMA1
仓库库存编号:
IPB22N03S4L15ATMA1TR-ND
别名:IPB22N03S4L-15
IPB22N03S4L-15-ND
IPB22N03S4L-15INTR
IPB22N03S4L-15INTR-ND
SP000275308
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL014NTR
仓库库存编号:
IRLL014NTR-ND
别名:SP001558818
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464
仓库库存编号:
IRF7464-ND
别名:*IRF7464
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5203
仓库库存编号:
IRLML5203-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464TR
仓库库存编号:
IRF7464TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP170PE6327
仓库库存编号:
BSP170PE6327INCT-ND
别名:BSP170PE6327INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5.1A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL024Z
仓库库存编号:
IRFL024Z-ND
别名:*IRFL024Z
SP001551986
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464TRPBF
仓库库存编号:
IRF7464PBFCT-ND
别名:*IRF7464TRPBF
IRF7464PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP170PE6327T
仓库库存编号:
BSP170PE6327XTINCT-ND
别名:BSP170PE6327XTINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP170PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP170PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSP170PL6327
BSP170PL6327INCT
BSP170PL6327INCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD105N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD105N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD105N03LGINCT
IPD105N03LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 38W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP114N03L G
仓库库存编号:
IPP114N03LGIN-ND
别名:IPP114N03LGIN
IPP114N03LGXK
SP000264168
SP000680862
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS105N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS105N03LGAKMA1-ND
别名:IPS105N03L G
IPS105N03LG
IPS105N03LGIN
IPS105N03LGIN-ND
IPS105N03LGXK
SP000264172
SP000788218
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU105N03L G
仓库库存编号:
IPU105N03LGIN-ND
别名:IPU105N03LGIN
IPU105N03LGXK
SP000271466
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB114N03L G
仓库库存编号:
IPB114N03L G-ND
别名:SP000304102
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI22N03S4L15AKSA1
仓库库存编号:
IPI22N03S4L15AKSA1-ND
别名:IPI22N03S4L-15
IPI22N03S4L-15-ND
SP000277016
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
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