产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19536KTTT
仓库库存编号:
296-41136-1-ND
别名:296-41136-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Ta) 375W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19536KCS
仓库库存编号:
296-37289-5-ND
别名:296-37289-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
库存产品核实请求
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76645S3ST_F085
仓库库存编号:
HUFA76645S3ST_F085CT-ND
别名:HUFA76645S3ST_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON-CLIP
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 156W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD18510Q5BT
仓库库存编号:
296-46567-1-ND
别名:296-46567-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR403EDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR403EDP-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 17.3A(Ta) 3.1W(Ta),6.9W(Tc) 8-SO
型号:
SI4491EDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4491EDY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA90DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA90DP-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA90DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA90DP-T1-RE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 85A(Ta) 1.5W(Ta) 8-HVSON(5.4x5.15)
型号:
UPA2739T1A-E2-AY
仓库库存编号:
UPA2739T1A-E2-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19536KTT
仓库库存编号:
CSD19536KTT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76645S3S
仓库库存编号:
HUF76645S3S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 310W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76645P3
仓库库存编号:
HUF76645P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76645S3S
仓库库存编号:
HUFA76645S3S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220A
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 310W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76645P3
仓库库存编号:
HUFA76645P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 32A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFJ32N50Q
仓库库存编号:
IXFJ32N50Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67.5A(Tc) 63.8W(Tc) TO-220F
型号:
PSMN5R0-100XS,127
仓库库存编号:
568-9760-5-ND
别名:568-9760-5
934066039127
PSMN5R0-100XS,127-ND
PSMN5R0-100XS127
PSMN5R0100XS127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70.4A(Tc) 63.8W(Tc) TO-220F
型号:
PSMN4R6-100XS,127
仓库库存编号:
568-10158-5-ND
别名:568-10158
568-10158-5
568-10158-ND
934067065127
PSMN4R6-100XS,127-ND
PSMN4R6100XS127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 153nC @ 10V,
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