产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7164DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7164DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7164DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP65NF06
仓库库存编号:
497-7529-5-ND
别名:497-7529-5
STP65NF06-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP40NF20
仓库库存编号:
497-5806-5-ND
别名:497-5806-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW40NF20
仓库库存编号:
497-5807-5-ND
别名:497-5807-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR418DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR418DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR418DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB40NF20
仓库库存编号:
497-5804-1-ND
别名:497-5804-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N03S4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N03S4L03ATMA1CT-ND
别名:IPD90N03S4L-03INCT
IPD90N03S4L-03INCT-ND
IPD90N03S4L03ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22.1A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.1A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS030N06B
仓库库存编号:
FDMS030N06BCT-ND
别名:FDMS030N06BCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 61A(Tc) 417W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP61N20
仓库库存编号:
FDP61N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR788DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR788DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR788DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R160C6
仓库库存编号:
IPP60R160C6-ND
别名:IPP60R160C6XKSA1
SP000652796
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 23.8A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R160C6
仓库库存编号:
IPA60R160C6-ND
别名:IPA60R160C6XKSA1
SP000652794
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R160C6
仓库库存编号:
IPW60R160C6-ND
别名:IPW60R160C6FKSA1
SP000652798
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? 1212-8S(3.3x3.3)
型号:
SISS10DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS10DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS10DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA58DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA58DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA58DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N03S4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N03S4L03ATMA1CT-ND
别名:IPB80N03S4L-03CT
IPB80N03S4L-03CT-ND
IPB80N03S4L03ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 13.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STP14NK60ZFP
仓库库存编号:
497-12608-5-ND
别名:497-12608-5
STP14NK60ZFP-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP25N60EFL-GE3
仓库库存编号:
SIHP25N60EFL-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG25N60EFL-GE3
仓库库存编号:
SIHG25N60EFL-GE3-ND
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 27.6A(Ta) 230W(Tc) TO-247
型号:
TK28N65W,S1F
仓库库存编号:
TK28N65WS1F-ND
别名:TK28N65W,S1F(S
TK28N65WS1F
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Ta),85A(Tc) 6.2W(Ta),56W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6518
仓库库存编号:
785-1669-1-ND
别名:785-1669-1
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA80EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA80EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA80EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 200W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA16N50_F109
仓库库存编号:
FQA16N50_F109-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.9A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) Power56
型号:
FDMS3662
仓库库存编号:
FDMS3662CT-ND
别名:FDMS3662CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB14NK60ZT4
仓库库存编号:
497-7933-1-ND
别名:497-7933-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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