产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 71A DFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 71A(Ta),200A(Tc) 7.3W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6500
仓库库存编号:
785-1420-1-ND
别名:785-1420-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 255W(Tc) TO-247-3
型号:
STW43NM60ND
仓库库存编号:
497-8461-5-ND
别名:497-8461-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT13F120B
仓库库存编号:
APT13F120B-ND
别名:APT13F120BMI
APT13F120BMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE868DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE868DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE868DF-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT14M120B
仓库库存编号:
APT14M120B-ND
别名:APT14M120BMI
APT14M120BMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 120W(Tc) TO-247
型号:
R6047ENZ1C9
仓库库存编号:
R6047ENZ1C9-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 357W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP110N65F
仓库库存编号:
FCP110N65F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 357W(Tc) TO-247 长引线
型号:
FCH110N65F_F155
仓库库存编号:
FCH110N65F_F155-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 357W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP104N60F
仓库库存编号:
FCP104N60F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 357W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FCB110N65F
仓库库存编号:
FCB110N65FCT-ND
别名:FCB110N65FCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S3-H2
仓库库存编号:
IPB160N04S3H2ATMA1CT-ND
别名:IPB160N04S3-H2CT
IPB160N04S3-H2CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 349W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R6-40E,118
仓库库存编号:
1727-7133-1-ND
别名:1727-7133-1
568-9565-1
568-9565-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Ta),80A(Tc) 242W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP5800
仓库库存编号:
FDP5800-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 1130W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX64N60P3
仓库库存编号:
IXFX64N60P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 1130W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK64N60P3
仓库库存编号:
IXFK64N60P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 520W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT37F50B
仓库库存编号:
APT37F50B-ND
别名:APT37F50BMI
APT37F50BMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E1R8-40E,127
仓库库存编号:
1727-7241-ND
别名:1727-7241
568-9849-5
568-9849-5-ND
934066512127
BUK7E1R840E127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE874DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE874DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE874DF-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 300A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 300A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP300N04T2
仓库库存编号:
IXTP300N04T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 1000W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX64N50Q3
仓库库存编号:
IXFX64N50Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 1000W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK64N50Q3
仓库库存编号:
IXFK64N50Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR64N50Q3
仓库库存编号:
IXFR64N50Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S3-03
仓库库存编号:
IPB100N04S303ATMA1CT-ND
别名:IPB100N04S3-03CT
IPB100N04S3-03CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 120W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N10CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N10CP ROGTR-ND
别名:TSM70N10CP ROGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 120W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N10CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N10CP ROGCT-ND
别名:TSM70N10CP ROGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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