产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (45)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 220W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3306PBF
仓库库存编号:
IRFP3306PBF-ND
别名:AUXYBFP3306
AUXYBFP3306-ND
SP001564200
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 104A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4115PBF
仓库库存编号:
IRFB4115PBF-ND
别名:64-0099PBF
64-0099PBF-ND
SP001565902
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3710ZPBF
仓库库存编号:
IRF3710ZPBF-ND
别名:*IRF3710ZPBF
SP001564400
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 97A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4410ZPBF
仓库库存编号:
IRFB4410ZPBF-ND
别名:SP001564008
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3306TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3306TRLPBFCT-ND
别名:IRFS3306TRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 160A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3306GPBF
仓库库存编号:
IRFB3306GPBF-ND
别名:SP001555952
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 97A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4410ZPBF
仓库库存编号:
IRFSL4410ZPBF-ND
别名:SP001557638
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 104A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4115GPBF
仓库库存编号:
IRFB4115GPBF-ND
别名:SP001572390
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF3710ZS
仓库库存编号:
AUIRF3710ZS-ND
别名:SP001522564
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 180W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1010NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1010NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF1010NSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3710ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF3710ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF3710ZSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH8307TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8307TRPBFCT-ND
别名:IRFH8307TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 97A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4410ZTRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4410ZTRLPBFCT-ND
别名:IRFS4410ZTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4115TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4115TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4115TRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 85A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1010NPBF
仓库库存编号:
IRF1010NPBF-ND
别名:*IRF1010NPBF
SP001563032
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3306PBF
仓库库存编号:
IRFB3306PBF-ND
别名:SP001556002
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 56W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI1310NPBF
仓库库存编号:
IRFI1310NPBF-ND
别名:*IRFI1310NPBF
SP001566772
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 260W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF8010PBF
仓库库存编号:
IRF8010PBF-ND
别名:*IRF8010PBF
SP001575444
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 97A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4410ZGPBF
仓库库存编号:
IRFB4410ZGPBF-ND
别名:SP001554600
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 160W(Tc) TO-262
型号:
IRF3710ZLPBF
仓库库存编号:
IRF3710ZLPBF-ND
别名:*IRF3710ZLPBF
SP001571360
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3306PBF
仓库库存编号:
IRFSL3306PBF-ND
别名:SP001568072
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP023N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP023N04NGXKSA1-ND
别名:IPP023N04N G
IPP023N04N G-ND
IPP023N04NGBKSA1
SP000680762
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF3710Z
仓库库存编号:
AUIRF3710Z-ND
别名:SP001522092
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB020N04N G
仓库库存编号:
IPB020N04N GCT-ND
别名:IPB020N04N GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 260W(Tc) D2PAK
型号:
IRF8010STRLPBF
仓库库存编号:
IRF8010STRLPBFCT-ND
别名:IRF8010STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号