产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S2L23ATMA3
仓库库存编号:
IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND
别名:IPD30N06S2L23ATMA3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),93A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC042N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC042N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC042N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC042N03LSGINCT
BSC042N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.9A(Tc) 104W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90R800C3
仓库库存编号:
IPP90R800C3-ND
别名:IPP90R800C3XKSA1
SP000413748
SP000683102
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 110W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP60R099C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R099C7XKSA1-ND
别名:SP001298000
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 110W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R099C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R099C7XKSA1-ND
别名:SP001298004
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 110W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R099C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R099C7XKSA1-ND
别名:SP001298006
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 6.9A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R800C3
仓库库存编号:
IPW90R800C3-ND
别名:IPW90R800C3FKSA1
SP000413758
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6.9A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R800C3
仓库库存编号:
IPA90R800C3-ND
别名:IPA90R800C3XKSA1
SP000413718
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S2L10ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
别名:IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10-ND
SP000254465
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6.9A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R800C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R800C3XKSA1-ND
别名:IPI90R800C3
IPI90R800C3-ND
SP000413730
SP000683086
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 20A(Tc) 122W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R104C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R104C7AUMA1-ND
别名:SP001298008
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 22A(Tc) 110W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R099C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R099C7ATMA1-ND
别名:SP001297998
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA60R099C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R099C7XKSA1-ND
别名:SP001297996
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 29A(Tc) 167W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R080G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R080G7XTMA1-ND
别名:SP001615904
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU4343
仓库库存编号:
IRLU4343-ND
别名:*IRLU4343
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含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRL
仓库库存编号:
IRLR4343CTL-ND
别名:*IRLR4343TRL
IRLR4343CTL
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含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 39W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIB4343
仓库库存编号:
IRLIB4343-ND
别名:*IRLIB4343
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343PBF
仓库库存编号:
IRLR4343PBF-ND
别名:*IRLR4343PBF
SP001558486
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU4343PBF
仓库库存编号:
IRLU4343PBF-ND
别名:*IRLU4343PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5.2A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP603S2LHUMA1
仓库库存编号:
BSP603S2LHUMA1-ND
别名:BSP603S2L
BSP603S2L-ND
BSP603S2LT
SP000013597
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2L-23
仓库库存编号:
SPD30N06S2L-23-ND
别名:SP000013127
SPD30N06S2L23T
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343-701PBF
仓库库存编号:
IRLR4343-701PBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRRPBF
仓库库存编号:
IRLR4343TRRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRPBF
仓库库存编号:
IRLR4343TRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB052N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB052N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB052N04N GCT
IPB052N04N GCT-ND
IPB052N04NG
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
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